一、車規級超級結技術概述

車規級超級結技術是一種先進的功率半導體技術，它在傳統的超級結MOSFET的基礎上，增加了額外的要求和改進，以滿足汽車行業的嚴格標準。這種技術主要用于制造高性能的電力開關器件，它們需要在汽車的高壓電氣系統中安全、高效地工作，如車載充電器、電機驅動器等

二、車規級超級結技術市場應用領域

車規級超級結技術被廣泛運用于各個汽車領域，如電動車充電樁，需要承受較高的電壓和電流沖擊，車規級超級結MOSFET能夠提供高效的能量轉換和穩定的控制性能，確保充電樁的安全可靠運行。

此外，超級結技術還可用于為車載電源系統提供穩定電力，它能夠優化電源系統的效率和可靠性，確保汽車在各種工況下都能正常運行。

1. 安森美半導體

安森美半導體在車規級MOSFET技術的發展上展現出顯著的創新力，例如他們推出采用創新頂部冷卻技術的MOSFET器件，采用TCPAK57封裝，具有5mm×7mm的尺寸，并在頂部提供了16.5mm2的熱焊盤，有效提高了散熱效率。

安森美的MOSFET器件提供高功率應用所需的電氣效率，RDS(ON)值低至1mΩ，柵極電荷(Qg)也較低（65nC），降低了高速開關應用中的損耗。這些特性使得安森美的MOSFET在電機控制和DC-DC轉換等具挑戰的汽車應用中表現出色。

2. 東微半導體

東微半導是一家以高性能功率器件研發與銷售為主的技術驅動型半導體公司，其產品主要應用于汽車及工業相關等中大功率應用領域。主要產品包括GreenMOS系列高壓超級結MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET。

GreenMOS系列高壓超級結MOSFET全部采用超級結技術原理，具有開關速度快、動態損耗低、可靠性強等優勢。另一核心產品中低壓屏蔽柵MOSFET，兼具平面結構和屏蔽柵結構優勢，具備穩定工藝水平和高可靠性。

3. 瞻芯電子

瞻芯電子依托自建的SiC晶圓產線，開發了第二代SiC MOSFET產品。與第一代產品相比，第二代SiC MOSFET優化了柵氧化層工藝和溝道設計，降低了約25%的比導通電阻，顯著降低了開關損耗，提升了系統效率。是中國第一家自主開發并掌握6英寸SiC MOSFET產品及工藝平臺的公司。

４. 英飛凌

英飛凌不斷提供最新的汽車MOSFET產品，這些產品基于其領先的MOSFET技術、卓越的品質和堅固的封裝，具有卓越的性能。

英飛凌提供了多種已通過AEC-Q101以上認證的N溝道、P溝道和雙通道MOSFET產品，適用于汽車應用。他們的OptiMOS?功率MOSFET產品組合提供了20 V至300 V的標準質量、堅固耐用的封裝和RDS(on)低至0.4 mΩ。

５. 飛锃半導體

飛锃半導體在2023年11月展出了車規級SiC MOSFET產品，包括1200V、35/70/160mΩ和650V、30/45/60mΩ規格。他們的車規級SiC MOSFET是第二代SiC MOSFET產品，通過工藝優化降低了單位晶圓面積內的導通電阻，開關性能也得到了優化。

三、車規級超級結技術產業發展趨勢

隨著新能源汽車產業的快速發展，對車規級超級結技術的需求將持續增長。預計在未來幾年內，隨著國產替代進程的加速，國內企業在這一領域的技術水平將進一步提升，有望打破國際大廠的壟斷局面，并在新能源汽車、光伏、風電等領域的應用更加廣泛。

 四、車規級IGBT 模塊芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運用自身原創的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

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