IGBT的定義:IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是具有高電流、高電壓、高效率的半導體電源控制元件，也是一種電···
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩定性和可靠性極為···
在電力電子設計中，開發人員不斷尋找傳統功率 MOSFET 的新替代品。在這一追求中，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵···
中國汽車IGBT市場情況隨著國內新能源汽車產業的快速發展，產業鏈上游大有逐步完成國產替代，甚至引領世···
目前殼封工藝的模塊基本結構都相差不大。IGBT模塊封裝的流程大致如下：貼片→真空回流焊接→超聲波清洗···
SMT貼片元器件要怎么焊接SMT是半導體器件的一種封裝形式。SMT涉及各種不同風格的零件。其中許多已形成行···
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型···
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場···
2023 年 5 月，矢野綜合研究所對全球功率半導體市場進行了調查（基于制造商出貨量），并公布了到 2030 ···
全球功率半導體市場 功率 MOSFET/IPD（智能功率器件） 二極管 IGBT 功率模塊 雙極晶體管 SiC 功率半導體 功率器件清洗
IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，B···
IGBT功率器件行業技術門檻與競爭格局IGBT功率器件主要玩家為英飛凌、富士電機、安森美等歐美日大廠，集···
