導熱硅脂在 車規(guī)級IGBT中的應用與IGBT功率模塊清洗介紹
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。
可靠的散熱設計與通暢的散熱通道，可以快速有效地減少模塊內部熱量，以滿足模塊可靠性指標的要求。
目前，車規(guī)級IGBT功率模塊一般采用液冷散熱，而液冷散熱又分為間接液冷散熱和直接液冷散熱。
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板，基板下面涂一層導熱硅脂，緊貼在液冷板上，液冷板內通冷卻液，散熱路徑為：芯片-DBC基板-平底散熱基板-導熱硅脂-液冷板-冷卻液。
即芯片為發(fā)熱源，熱量主要通過DBC基板、平底散熱基板、導熱硅脂傳導至液冷板，液冷板再通過液冷對流的方式將熱量排出。
上圖顯示了導熱硅脂在 IGBT 典型應用中的作用。
硅芯片被焊接到直接鍵合銅 (DBC) 層上，該層由夾在兩個銅層之間的氮化鋁層組成。該 DBC 層焊接到銅底板上，導熱硅脂用作于底板和散熱器之間的界面。導熱硅脂的厚度可達100微米（粘合線厚度或BLT），并且根據(jù)配方，它的導熱系數(shù)在0.4到10W/m·K之間。
目前高端市場的導熱硅脂基本上被國外壟斷，國內硅脂很少能和國外硅脂PK，主要的一個原因是國內的導熱硅脂熱阻相對高于國外的導熱硅脂的熱阻，所以很難進入高端市場。
我們要具體的了解導熱硅脂，我們可以先了解兩個比較重要的參數(shù)。
導熱系數(shù)：是指在穩(wěn)定傳熱條件下，1m厚的材料，兩側表面的溫差為1度（℃），在1小時，通過1平方米面積傳遞的熱量，單位為瓦/米·度（W/m·K)；導熱系數(shù)越高，導熱能力就越強。
熱阻：當熱量在物體內部以熱傳導的方式傳遞時，遇到的阻力稱為熱阻；兩款相同導熱系數(shù)的導熱硅脂，熱阻越低，導熱效果越好。
IGBT功率器件清洗
為應對能源危機和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應用，促進了大功率電力電子變流裝置的廣泛應用。大功率變流裝置的可靠性對這些應用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關。
目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。
合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護芯片獨特的材料；配方材料親水性強，清洗后易于用水漂洗干凈。
歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。
以上便是IGBT功率器件清洗劑廠,IGBT功率器件的DCB襯底功能介紹，希望可以幫到您！
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