新型微電子封裝技術(shù)主要包括以下幾種

發(fā)展微電子封裝技術(shù)，旨在使系統(tǒng)向小型化、高性能、高可靠性和低成本目標(biāo)努力，從技術(shù)發(fā)展觀點(diǎn)來看，

作為微電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)主要有：

（1）3D 封裝，在 2D封裝的基礎(chǔ)上，把多個裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進(jìn)行疊層互連，構(gòu)成立體封裝，這種結(jié)構(gòu)稱作疊層型 3D 封裝

（2） 焊球陣列封裝（BGA）：陣列封裝（BGA）以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，從而提高了組裝成品率。組裝可用共面焊接，可靠性高；

（3） 芯片尺寸封裝（CSP）是芯片級封裝的意思。CSP 封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過 1:1.14，已經(jīng)相當(dāng)接近 1:1的理想情況。與 BGA 封裝相比，同等空間下 CSP 封裝可以將存儲容量提高三倍；

（4） 系統(tǒng)封裝（SIP）即通過封裝來實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。

微電子三維 (3D) 封裝技術(shù)問題分析

1 應(yīng)用范圍不夠廣泛

從微電子封裝技術(shù)的材料可以看出，IC 芯片將向小型化、高性能并滿足環(huán)保要求的方向發(fā)展。微電子封裝技術(shù)應(yīng)用范圍不夠廣泛 , 在過去幾年中已通用的高于 208 個管腳、256 個管腳、304 個管腳，間距 0.5mm 款式、包括間距 0.4mm 款式 QFPs，其 QFPs 材料多為塑料和陶瓷殼體，通常各類塑料型器件適合于較高的引線數(shù)。

2 傳統(tǒng)銅線鍵合工藝問題

由于傳統(tǒng)銅線鍵合工藝的極限能力為芯片焊盤尺寸≥ 50μm×50μm、焊盤間距≥ 60μm，對此尺寸以下的芯片只能采用金線工藝，而在研究過程中，要實(shí)現(xiàn)此金線工藝被合理替代，必須解決小焊點(diǎn)、窄間距銅線鍵合所面臨的以下問題：

第一：銅線鍵合空氣球防氧化技術(shù)；

第二：防止銅線鍵合焊盤損傷和對“鋁飛濺”控制鍵合技術(shù)；

第三：第二焊點(diǎn)鍵合強(qiáng)度的研究；

第四：銅線鍵合防裂紋和彈坑技術(shù)。

隨著 QFP 封裝引線數(shù)的增加，其殼體尺寸急劇地增加，可以替代封裝尺寸增加的是更進(jìn)一步縮減引線間距。因此，要對高密度窄間距封裝技術(shù)進(jìn)行研發(fā)與技術(shù)改進(jìn)。

芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。