全球領先的半導體公司正在競相生產(chǎn)所謂的“2納米”處理器芯片，為下一代智能手機、數(shù)據(jù)中心和人工智能提供動力。

分析師們仍然認為臺積電保持其在該領域的全球霸主地位，但三星電子和英特爾已將該行業(yè)的下一次飛躍視為縮小差距的機會。

幾十年來，芯片制造商一直致力于制造更加緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小，能耗越低，速度也越高。如今，“2納米”和“3納米”等術語被廣泛用作每一代新一代芯片的速記，而不是半導體的實際物理尺寸。

任何在下一代先進半導體領域占據(jù)技術領先地位的公司都將處于主導地位，該行業(yè)去年的全球芯片銷售額遠超 5000 億美元。由于對支持生成人工智能服務的數(shù)據(jù)中心芯片的需求激增，預計這一數(shù)字將進一步增長。

據(jù)兩位直接了解討論情況的人士透露，在全球處理器市場占據(jù)主導地位的臺積電已經(jīng)向蘋果和英偉達等一些最大客戶展示了其“N2”（即 2 納米）原型的工藝測試結果。

但兩名與三星關系密切的人士表示，這家韓國芯片制造商正在提供其最新 2 納米原型的降價版本，以吸引包括 Nvidia 在內的大牌客戶的興趣。

美國對沖基金 Dalton Investments 分析師 James Lim 表示：“三星認為 2 納米是游戲規(guī)則的改變者。” “但人們仍然懷疑它能否比臺積電更好地執(zhí)行遷移。”

前市場領導者英特爾也大膽宣稱將在明年年底前生產(chǎn)下一代芯片。這可能會使其重新領先于亞洲競爭對手，盡管人們對這家美國公司產(chǎn)品的性能仍存疑慮。

臺積電表示 N2 芯片將于 2025 年開始量產(chǎn)，通常會首先推出移動版本，蘋果是其主要客戶。PC 版本以及專為更高功率負載設計的高性能計算芯片將在稍后推出。

蘋果最新的旗艦智能手機 iPhone 15 Pro 和 Pro Max 于今年 9 月推出，是首批采用臺積電全新 3 納米芯片技術的大眾市場消費設備。

隨著芯片變得越來越小，從一代或“節(jié)點”工藝技術過渡到下一代工藝技術的挑戰(zhàn)日益加劇，這增加了臺積電失步的可能性。

臺積電向英國《金融時報》表示，其 N2 技術開發(fā)進展順利，有望在 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)，一旦推出，在密度和能源效率方面將成為業(yè)界最先進的半導體技術”。

但 Isaiah Research 副總裁 Lucy Chen 指出，遷移到下一個節(jié)點的成本正在上升，而性能的改進卻已趨于穩(wěn)定。“[轉向下一代]對客戶不再那么有吸引力，”Chen說。

專家強調，距離量產(chǎn)還需要兩年的時間，初期出現(xiàn)的問題是芯片生產(chǎn)過程中很自然的一部分。

根據(jù)咨詢公司 TrendForce 的數(shù)據(jù)，三星在全球先進晶圓代工市場的份額為 25%，而臺積電的份額為 66%，三星內部人士看到了縮小差距的機會。這家韓國企業(yè)集團去年是第一家開始大規(guī)模生產(chǎn) 3nm 或“SF3”芯片的公司，也是第一家轉向稱為“Gate-All-Around”(GAA) 的新型晶體管架構的公司。

據(jù)兩位知情人士透露，美國芯片設計商高通公司計劃在其下一代高端智能手機處理器中使用三星的“SF2”芯片。這將標志著高通將其大部分旗艦移動芯片從三星 4 納米工藝轉移到臺積電同等工藝之后的命運逆轉。

三星表示：“我們已做好準備，到 2025 年實現(xiàn) SF2 的量產(chǎn)。” “由于我們是第一個跨越并過渡到 GAA 架構的公司，因此我們希望從 SF3 到 SF2 的進展能夠相對順利。”

分析師警告說，雖然三星是第一家將 3nm 芯片推向市場的公司，但它一直在努力解決“良率”問題，即生產(chǎn)出來的芯片中被認為可以交付給客戶的比例。

這家韓國公司堅稱其 3 納米良率有所提高。但據(jù)兩位接近三星的人士透露，其最簡單的 3nm 芯片的良率僅為 60%，遠低于客戶預期，并且在生產(chǎn)相當于蘋果 A17 Pro 或 Nvidia 圖形處理單元等更復雜的芯片時，良率可能會進一步下降。

研究公司 SemiAnalysis 的首席分析師迪倫·帕特爾 (Dylan Patel) 表示：“三星試圖實現(xiàn)這些巨大的飛躍。” “他們可以宣稱他們想要的一切，但他們仍然沒有發(fā)布合適的 3 納米芯片。”

首爾祥明大學系統(tǒng)半導體工程教授 Lee Jong-hwan 補充說，三星還遭受了這樣一個事實：其智能手機和芯片設計部門是其代工部門生產(chǎn)的邏輯芯片的潛在客戶的激烈競爭對手。

 “三星的結構引起了許多潛在客戶對可能的技術或設計泄露的擔憂，”李說。

與此同時，前市場領導者英特爾正在技術會議上推廣其下一代“18A”節(jié)點，并向芯片設計公司提供免費測試生產(chǎn)。這家美國公司表示將于 2024 年底開始生產(chǎn) 18A，這可能使其成為第一家轉向下一代的芯片制造商。

但臺積電首席執(zhí)行官 CC Wei 似乎并不擔心。他在 10 月份表示，根據(jù)這家臺灣公司的內部評估，其最新的 3 納米變體（已上市）在功率、性能和密度方面可與英特爾 18A 相媲美。

三星和英特爾都希望從希望減少對臺積電依賴的潛在客戶中受益，無論是出于商業(yè)原因還是出于對中國對臺灣潛在威脅的擔憂。今年7月，美國芯片制造商AMD首席執(zhí)行官表示，除了臺積電提供的制造能力之外，該公司還將“考慮其他制造能力”，因為它追求更大的“靈活性”。

咨詢公司 RHCC 首席執(zhí)行官 Leslie Wu 表示，需要 2 納米級別技術的主要客戶正在尋求將芯片生產(chǎn)分散到多個代工廠。“單純依賴臺積電風險太大。”

但伯恩斯坦亞洲半導體分析師馬克·李 (Mark Li) 質疑，“與效率和進度等因素相比，[地緣政治]因素的意義有多大，尚有爭議。臺積電在成本、效率和信任方面仍然具有優(yōu)勢。”

半導體芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。