IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導體開關器件，可用于多種電子設備中的高效快速開關。

IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調制 (PWM) 切換/處理復雜的波形。

你可以看到輸入側代表具有柵極端子的 MOS管，輸出側代表具有集電極和發(fā)射極的 BJT。

集電極和發(fā)射極是導通端子，柵極是控制開關操作的控制端子。

IGBT的電路符號與等效電路圖

IGBT 的特性--靜態(tài) VI 特性

下圖顯示了 n 溝道 IGBT 的靜態(tài) VI 特性以及標有參數的電路圖，該圖與 BJT 的圖相似，只是圖中保持恒定的參數是 VGE，因為 IGBT 是電壓控制器件，而 BJT 是電流控制器件。

IGBT的靜態(tài)特性圖

IGBT的等效電路

IGBT的近似等效電路由 MOS 管和 PNP 晶體管(Q1 )組成,考慮到 n- 漂移區(qū)提供的電阻，電阻 Rd已包含在電路中，如下圖所示：

IGBT 的近似等效電路

等效電路圖的基本結構

IGBT的精確等效電路圖

車規(guī)級IGBT芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

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