碳化硅功率模塊是使用碳化硅半導體作為開關的功率模塊。 

碳化硅功率模塊用于轉換電能，轉換效率高 — 功率是指電流和電壓的乘積。碳化硅半導體帶隙寬，用于 MOSFET 中時，開關損耗極低，因此相較于普通的硅器件，可允許更高的開關頻率。同時，與傳統的硅半導體相比，碳化硅半導體能夠在更高的溫度和更高的電壓下工作。

大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。

由IGBT的尾電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：

1. 開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化
   （例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化）

2. 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化
   （例：電抗器或電容等的小型化）

主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。

現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型的模塊。

分為由SiC MOSFET + SiC SBD構成的類型和只由SiC MOSFET構成的類型兩種，可根據用途進行選擇。

SiC模塊功率半導體器件清洗：

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