Chiplets如此重要的確切原因分析及Chiplets封裝清洗
Chiplets是分隔式的處理器。不是將每個部分合并到一個芯片中(被稱為單片機的方法),而是將特定的部分作為獨立的芯片來制造。然后,這些獨立的芯片通過一個復雜的連接系統被安裝在一起,成為一個單一的封裝。這種安排使能夠讓使用最新的制造方法的部件尺寸縮小,提高了工藝的效率,使其能夠裝入更多的部件。芯片中不能明顯縮小或不需要縮小的部分可以用更舊的、更經濟的方法生產。雖然制造這種處理器的過程很復雜,但總體成本通常較低。此外,它為處理器公司提供了一個更易于管理的途徑來擴大其產品范圍。為了充分理解為什么處理器制造商轉向芯片,我們必須首先深入了解這些設備是如何制造的。CPU和GPU開始時是由超純硅制成的大圓盤,通常直徑略小于12英寸(300毫米),厚度為0.04英寸(1毫米)。這塊硅片經歷了一系列復雜的步驟,形成了不同材料的多層--絕緣體、電介質和金屬。這些層的圖案是通過一種叫做光刻的工藝創建的,在這種工藝中,紫外線通過放大的圖案(掩膜)照射,隨后通過透鏡縮小到所需的尺寸。該圖案以設定的間隔在晶圓表面重復出現,每一個都將最終成為一個處理器。由于芯片是長方形的,而晶圓是圓形的,圖案必須與圓盤的周邊重疊。這些重疊的部分最終會被丟棄,因為它們是無功能的。一旦完成,將使用應用于每個芯片的探針對晶圓進行測試。電檢結果告知工程師關于處理器的質量與一長串標準的關系。這個初始階段被稱為芯片分選,有助于確定處理器的 "等級"。例如,如果該芯片打算成為一個CPU,那么每個部分都應該正確運作,在特定的電壓下在設定的時鐘速度范圍內運行。然后根據這些測試結果對每個晶圓部分進行分類。完成后,晶圓被切割成單獨的碎片,或稱 "模具",可供使用。然后,這些模具被安裝在一個基板上,類似于一個專門的主板。處理器經過進一步的包裝(例如,用散熱器),然后就可以進行銷售了。整個過程可能需要數周的制造時間,臺積電和三星等公司對每個晶圓收取高額費用,根據所使用的工藝節點,費用在3000至20000美元之間。"工藝節點 "(Process node)是用來描述整個制造系統的術語。歷史上,它們是以晶體管的柵極長度命名的。然而,隨著制造技術的改進,允許越來越小的組件,命名不再遵循芯片的物理方面,現在它只是一個營銷工具。然而,每一個新的工藝節點都會帶來比前者更多的好處。它的生產成本可能更低,在相同的時鐘速度下消耗更少的功率(或者相反),或者具有更高的密度。后者衡量的是在一個給定的芯片區域內可以容納多少元件。在下圖中,你可以看到這些年來GPU(你在PC中發現的最大和最復雜的芯片)的發展情況。
工藝節點的改進為工程師提供了提高其產品能力和性能的手段,而不必使用大而昂貴的芯片。然而,上圖只說明了部分情況,因為不是處理器的每個方面都能從這些進步中受益。芯片內的電路可以被分配到以下幾大類中的一類:(1)邏輯,處理數據、數學和決策;(2)存儲器,通常是SRAM,用于存儲邏輯的數據;(3)模擬 ,管理芯片和其他設備之間信號的電路。當邏輯電路隨著工藝節點技術的每一次重大進步而繼續縮小時,模擬電路幾乎沒有變化,SRAM也開始達到極限。雖然邏輯仍然構成了芯片的最大部分,但今天的CPU和GPU中的SRAM數量在近年來有了顯著增長。例如,AMD在其Radeon VII顯卡中使用的Vega 20芯片的L1和L2緩存合計為5MB。僅僅兩代GPU之后,Navi 21就有超過130MB的各種緩存--比Vega 20多了25倍,令人矚目。可以預期,隨著新一代處理器的開發,這些水平將繼續提高,但由于存儲器的規模沒有像邏輯那樣縮小,在同一工藝節點上制造所有電路的成本效益將越來越低。在一個理想的世界里,人們在設計芯片時,模擬部分在最大和最便宜的節點上制造,SRAM部分在更小的節點上制造,而邏輯部分則保留給絕對尖端的技術。不幸的是,這在實踐中是無法實現的。然而,存在一種替代方法。盡管在半導體制造方面取得了巨大的技術進步,但每個部件可以縮小的程度是有明確限制的。為了繼續提高芯片的性能,工程師們基本上有兩個途徑:增加更多的邏輯,用必要的內存來支持它,以及提高內部時鐘速度。關于后者,一般的CPU在這方面已經多年沒有明顯的變化了。AMD的FX-9590處理器,從2013年開始,在某些工作負載中可以達到5GHz,而其當前型號的最高時鐘速度是5.7GHz(Ryzen 9 7950X)。英特爾最近推出了酷睿i9-13900KS,在合適的條件下能夠達到6GHz,但其大多數型號的時鐘速度與AMD的相近。然而,改變的是電路和SRAM的數量。前面提到的FX-9590有8個核心(和8個線程)和8MB的L3緩存,而7950X3D擁有16個核心、32個線程和128MB的L3緩存。英特爾的CPU在核心和SRAM方面也有類似的擴展。Nvidia的第一個統一著色器GPU,即2006年的G80,由6.81億個晶體管、128個內核和96 kB的二級緩存組成,其芯片面積為484 mm2。快進到2022年,當AD102推出時,它現在由763億個晶體管、18432個內核和98304 kB的二級緩存組成,芯片面積為608 mm2。1965年,飛兆半導體公司的聯合創始人戈登·摩爾(Gordon Moore)觀察到,在芯片制造的早期,在固定的最低生產成本下,芯片內的元件密度每年都在翻番。這一觀察被稱為摩爾定律,后來根據制造趨勢,被解釋為 "芯片中的晶體管數量每兩年翻一番"。近六十年來,摩爾定律一直是對半導體行業發展進程的合理準確描述。CPU和GPU在邏輯和內存方面的巨大進步是通過工藝節點的不斷改進實現的,這些年來,組件變得越來越小。然而,這種趨勢不可能永遠持續下去,無論出現什么新技術。像AMD和英特爾這樣的公司并沒有等待這個極限的到來,而是轉向了Chiplets,探索它們的各種組合方式,以繼續在創造更強大的處理器方面取得進展。幾十年后的今天,普通的個人電腦可能是由手掌大小的CPU和GPU組成的,但是剝開散熱片,你會發現有許多微小的芯片--不是三四個,而是幾十個,都巧妙地拼接和堆疊在一起。芯粒-先進芯片封裝清洗:
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水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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