國產存儲半導體未來發展趨勢與半導體封裝清洗介紹

合明科技發布時間：2024-12-20 ?? 1867 Tags：國產存儲半導體半導體封裝清洗劑W3100

一、國產存儲半導體市場現狀

（一）定義與分類

半導體存儲器一般指半導體集成存儲器，是用半導體集成電路工藝制成的存儲數據信息的固態電子器件。由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構成。按功能的不同，可分為隨機存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)和串行存儲器三大類。其中RAM又可分為靜態隨機存儲器(SRAM)和動態隨機存儲器(DRAM)；ROM也有多種類型，如可編程只讀存儲器(PROM)等。而根據斷電后信息是否保留，存儲器還分為易失性(VM)存儲器與非易失性(NVM)存儲器。易失性存儲器如DRAM和SRAM，斷電后無法保留數據，非易失性存儲器如NANDFlash和NORFlash，斷電后仍能保留數據。

（二）市場規模

近年來中國半導體存儲芯片市場規模整體呈增長趨勢，2018年達到近年峰值為5775億元，2021年中國半導體存儲器市場規模為5494億元，同比上升7.16%，預計2022年將達到近3000億元。中國作為全球電子產品的制造基地，一直以來都是存儲器產品最大的需求市場，2024年中國大陸地區的半導體存儲器市場規模為2843億元（約400億美元）。

（三）應用領域

智能手機和平板電腦市場

在移動通信技術持續創新、移動互聯網加速普及的背景下，智能手機和平板電腦行業是半導體存儲器行業下游最重要的細分市場之一。雖然近幾年中國智能手機行業出貨量整體不斷下降，但隨著5G換新及居民消費水平的提升，中國智能手機行業將從增量向存量方向發展，對半導體存儲器的需求長期存在。2021年中國智能手機出貨量為3.43億臺，同比增長3.94%，市場出現回暖。同時，5G通信技術的發展極大提高了信息傳輸的速率，也帶動了信息存儲容量的擴增，未來5G手機的平均存儲容量將進一步提升。2021年，中國平板電腦出貨量達到0.28億臺。

可穿戴設備市場

智能可穿戴設備是綜合運用各類識別、傳感、數據存儲等技術實現用戶交互、生活娛樂、人體監測等功能的智能設備，半導體存儲器是其重要組成部分，很大程度上影響穿戴設備的性能、尺寸和續航能力。隨著智能可穿戴設備行業在各垂直領域應用程度的加深，行業持續擴容，對存儲器的需求也顯著增長。2021年，中國可穿戴市場出貨量近1.4億臺，同比增長25.4%。

智能汽車市場

隨著智能化程度的不斷加深、國家政策扶持力度的不斷加大以及相關技術的日趨成熟，汽車正逐步完成由交通工具到移動終端的轉變，給存儲行業帶來新的市場機遇。2020年，中國智能網聯汽車數量超千萬輛，約為1306萬輛，產業正處于加速發展階段。

其他領域

在中國互聯網 +、大力發展新一代信息技術和不斷加強先進制造業發展的戰略指引下，國內信息化、數字化、智能化進程加快，用戶側的視頻、監控、數字電視、社交網絡等應用和制造側的工業智能化逐漸普及，刺激存儲芯片的市場需求快速增長。此外，5G、物聯網、數據中心等新一代信息技術在中國大規模開發及應用，也催生了我國對半導體存儲器的強勁需求。

（四）產業鏈情況

設計環節

國內有一些企業在存儲芯片設計方面取得了進展，例如東芯股份是大陸領先的存儲芯片設計公司，聚焦于中小容量存儲芯片的研發、設計和銷售，是大陸少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM等主要存儲芯片完整解決方案的公司。

制造環節

長江存儲、合肥長鑫等是國內在存儲芯片制造方面較有代表性的企業。長江存儲在3DNAND技術方面取得了重要突破，合肥長鑫在DRAM技術研發和生產上也在不斷努力追趕國際先進水平。

封測環節

在半導體存儲器的封測環節，國內也有企業參與。并且在整個產業鏈中，模組的生產也是必要環節，例如在DRAM模組方面，國外的Kingston占據了絕對統治地位；NAND方面，三星在閃存顆粒上優勢明顯，市占率領先，但我國的江波龍也有一定份額。此外，閃存盤離不開控制器的輔助，第三方廠商如群聯、慧榮、Marvell都有著穩固的市場地位，我國的江波龍也在其中有一定的市場份額。

二、國產存儲半導體未來發展趨勢

（一）技術發展趨勢

制程工藝改進

在主流的存儲芯片技術方面，DRAM的技術發展路徑是以微縮制程來提高存儲密度。不過制程工藝進入20nm之后，制造難度大幅提升，DRAM芯片廠商對工藝的定義從具體的線寬轉變為在具體制程范圍內提升二或三代技術來提高存儲密度。而中國DRAM技術比較落后，目前還停留在1xnm制程。NAND芯片制程已經達到極限，技術趨勢從2D轉向3D，通過增加芯片堆疊層數獲得更大容量。目前，三星、海力士、美光的3DNAND技術均已達到128L，長江存儲僅達到64L，國內企業在這方面還有很大的追趕空間。

新型存儲介質探索

新型存儲介質結合了DRAM內存的高速存取，以及NAND閃存在關閉電源之后保留數據的特性，可以打破內存和閃存的界限，使其合二為一，同時，新型存儲介質功耗更低，壽命更長，速度更快，被業界視為未來閃存和內存的替代品。但新型存儲介質產業尚未成熟，相對于傳統的DRAM芯片和NAND芯片，新型存儲介質的產品路線不夠明朗，技術路線尚不明確，新型存儲介質產業的發展機遇與挑戰并存。

（二）應用拓展趨勢

新興技術帶動

隨著人工智能、大數據、云計算、物聯網、5G等新興技術的不斷發展，對數據存儲的需求將不斷增加，并且對存儲的速度、容量、安全性等方面都提出了更高的要求。例如在數據中心領域，隨著數據量的爆炸式增長，需要大量的存儲半導體來存儲數據；在物聯網領域，眾多的物聯網設備也需要存儲芯片來存儲設備運行數據、用戶數據等。

消費電子升級

在消費電子領域，如智能手機和平板電腦，隨著功能的不斷增加，如高清視頻拍攝、大型游戲運行等，需要更大的存儲容量和更快的存儲速度。可穿戴設備的功能也在不斷拓展，如健康監測數據的長期存儲和分析等，這都將推動存儲半導體在消費電子領域的進一步應用。

汽車電子發展

汽車向智能化、電動化、網聯化方向發展，汽車電子系統變得越來越復雜，需要存儲半導體來存儲車輛的運行數據、地圖數據、自動駕駛相關數據等。例如高級駕駛輔助系統（ADAS）需要存儲大量的傳感器數據用于實時分析，智能座艙系統也需要存儲用戶的偏好設置、娛樂內容等數據。

（三）產業整合趨勢

企業并購與合作增加

在國內存儲半導體產業中，為了提升技術水平、擴大市場份額、降低成本等目的，企業之間的并購與合作可能會增加。例如通過并購可以獲取對方的技術、人才、生產線等資源，實現優勢互補。企業之間的合作可以包括技術研發合作、生產合作等，共同應對國際競爭壓力。

產業鏈上下游協同加強

存儲半導體產業鏈較長，從原材料供應到芯片設計、制造、封測，再到下游應用。未來上下游企業之間的協同合作將更加緊密。例如芯片設計企業與制造企業之間加強溝通，根據制造工藝的特點來優化芯片設計，封測企業與芯片制造企業合作，提高封裝測試效率和質量，同時下游應用企業也可以向上游企業反饋需求，促進存儲半導體產品更好地滿足市場需求。

三、國產存儲半導體市場競爭格局

（一）國內企業競爭格局

領先企業

長江存儲、合肥長鑫、兆易創新等是國內存儲半導體領域的領先企業。長江存儲在3DNAND技術方面取得了重要突破，在國內存儲芯片制造領域具有重要地位；合肥長鑫在DRAM技術研發和生產上不斷努力追趕國際先進水平；兆易創新在存儲芯片設計等方面有一定的優勢，例如在NORFlash市場中有一定的布局。

中小企業

除了這些領先企業，國內還有眾多的中小企業參與存儲半導體市場。這些中小企業在細分領域或者特定應用場景下有一定的競爭力，例如在一些中低端存儲產品市場，或者針對特定行業客戶的定制化存儲解決方案方面，中小企業可以憑借靈活的經營策略和成本優勢來獲取市場份額。不過，中小企業在技術研發投入、規模生產等方面相對較弱，面臨較大的競爭壓力。

（二）國際競爭格局

國際巨頭主導

在全球存儲半導體市場，國際巨頭占據主導地位。在DRAM市場中，三星、SK海力士和美光三大巨頭占據了超過90%的市場份額；在NANDFlash市場中，三星、鎧俠、西部數據和美光等企業占據主導地位，其中三星的市場份額最大。這些國際巨頭在技術研發、生產規模、市場渠道等方面具有巨大的優勢，它們的技術創新往往引領著整個行業的發展方向，并且憑借大規模生產實現成本優勢，在全球市場上占據高端市場份額，對國內企業形成較大的競爭壓力。

國內企業追趕

雖然國內企業目前在技術和市場份額等方面與國際巨頭存在差距，但近年來國內企業不斷加大技術研發投入，在存儲技術方面取得了一些進展，如長江存儲的3DNAND技術突破等。同時，國內企業也在利用國內龐大的市場需求，通過本土化優勢逐步擴大市場份額，在一些細分市場或者中低端市場逐漸建立起自己的競爭優勢，不斷追趕國際先進水平。

（三）競爭焦點

技術競爭

存儲半導體行業技術更新換代快，技術水平決定了企業的產品競爭力。在技術競爭方面，主要集中在存儲芯片的制程工藝、存儲密度、讀寫速度、功耗等性能指標上。國際巨頭不斷投入大量資源進行技術研發，以保持領先地位，例如在3DNAND和DRAM技術上不斷突破。國內企業也在努力提升自己的技術水平，如提高3DNAND的堆疊層數、改進DRAM的制程工藝等，以縮小與國際企業的差距。

市場份額競爭

市場份額的大小直接關系到企業的盈利能力和行業地位。國際巨頭通過品牌優勢、技術優勢和全球銷售網絡等不斷鞏固和擴大市場份額。國內企業則通過性價比優勢、本土化服務等在國內市場以及部分新興市場與國際企業展開競爭。例如在國內的智能手機、物聯網設備等市場，國內存儲半導體企業通過提供滿足客戶需求的產品，逐漸提高自己的市場份額。

四、影響國產存儲半導體市場前景的因素

（一）技術因素

技術研發能力

存儲半導體行業技術含量高，研發能力是企業發展的關鍵。目前國際上在存儲芯片技術方面處于領先地位的企業，如三星、海力士等，它們每年投入大量資金用于研發。國內企業雖然在技術上有所進步，但整體研發能力相對較弱，例如在DRAM的制程工藝和3DNAND的堆疊層數等方面與國際先進水平還有差距。如果國內企業不能持續提升研發能力，將難以在技術競爭中取得優勢，影響市場前景。

技術創新速度

存儲半導體行業技術創新速度快，新的存儲技術不斷涌現。如新型存儲介質的研究，如果國內企業不能及時跟上技術創新的步伐，就可能面臨產品被淘汰的風險。例如，當3DNAND技術逐漸成為主流時，如果企業還停留在2D NAND技術，就會失去市場競爭力，從而影響企業的生存和發展，進而影響整個國產存儲半導體市場的前景。

（二）市場因素

市場需求規模

國內存儲半導體市場需求規模龐大，這為國產存儲半導體企業提供了廣闊的發展空間。隨著中國互聯網 +、新一代信息技術的發展，如5G、物聯網、人工智能等，眾多應用場景對存儲半導體的需求不斷增加。例如，數據中心的建設需要大量的存儲設備，智能手機和平板電腦等消費電子設備的存儲容量需求也在不斷提升。如果市場需求能夠持續增長，將有利于國產存儲半導體企業的發展，反之，如果市場需求萎縮，將對企業產生不利影響。

市場競爭程度

如前面所述，存儲半導體市場競爭激烈，國際巨頭占據主導地位。國內企業面臨著來自國際和國內的競爭壓力。在國際競爭方面，國際企業憑借技術和規模優勢擠壓國內企業的市場空間；在國內競爭方面，眾多國內企業之間也存在競爭。如果國內企業不能在競爭中脫穎而出，例如在技術、成本、服務等方面建立優勢，就難以在市場中生存和發展，從而影響國產存儲半導體市場的前景。

（三）政策因素

國家政策支持

集成電路產業是中國戰略性產業，近年來國家高度重視和大力支持集成電路產業的發展。2014年，國務院發布《國家集成電路產業發展推進綱要》，提出集成電路產業是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業，并設立集成電路產業投資基金。2020年，國務院發布《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》，從財稅、投融資、研究開發、進出口、人才、知識產權、市場應用、國際合作等八個方面制定集成電路產業發展的政策措施。這些政策對國產存儲半導體產業的發展起到了積極的推動作用，例如通過資金支持企業進行技術研發、產能擴張等。

貿易政策影響

在國際貿易環境下，貿易政策對存儲半導體產業也有重要影響。例如，近年來受到國際芯片制裁等因素影響，國內企業面臨著技術封鎖和原材料供應受限等問題。但同時，這也促使國內企業加大自主研發和國產替代的力度。如果貿易政策朝著有利于國內企業的方向發展，如放寬技術出口限制、增加原材料供應渠道等，將有助于國產存儲半導體市場的發展；反之，如果貿易政策進一步收緊，將給國內企業帶來更大的挑戰。

五、國產存儲半導體市場前景預測

（一）規模增長趨勢

短期（1 - 2年）

從短期來看，隨著國內5G、物聯網等技術的進一步普及，相關應用場景對存儲半導體的需求將繼續增加。例如，5G手機的出貨量不斷增長，其對存儲容量和速度的要求更高，將推動存儲半導體市場規模的增長。同時，國內企業在技術研發方面的持續投入也將逐漸轉化為產品競爭力的提升，從而提高市場份額。預計在1 - 2年內，中國半導體存儲器市場規模將保持一定的增長速度，可能達到年增長率5% - 10%左右。

中期（3 - 5年）

在中期內，隨著人工智能、大數據、云計算等新興技術在國內的大規模應用，數據存儲需求將呈現爆發式增長。國內存儲半導體企業如果能夠抓住機遇，在技術上取得進一步突破，如在3DNAND技術上提高堆疊層數、在DRAM制程工藝上縮小與國際企業的差距等，將能夠在國內市場獲得更大的份額。同時，國內企業也可能會逐步拓展海外市場。預計在3 - 5年內，中國半導體存儲器市場規模可能會以10% - 15%的年增長率增長。

長期（5年以上）

長期來看，隨著國內存儲半導體產業的不斷成熟，技術水平不斷提高，產業整合不斷加強，國內企業有望在全球存儲半導體市場中占據更重要的地位。如果國內企業能夠在新型存儲介質等前沿技術研究方面取得突破，將有可能改變全球存儲半導體的市場格局。預計5年以上，中國半導體存儲器市場規模可能會以15%以上的年增長率持續增長，并且在全球市場中的份額也將不斷提高。

（二）技術突破前景

存儲芯片技術

在存儲芯片技術方面，國內企業有較大的突破潛力。雖然目前在DRAM和3DNAND技術上與國際企業存在差距，但隨著技術研發投入的增加和經驗的積累，國內企業有望逐步縮小差距。例如，長江存儲在3DNAND技術上已經取得了一定的成績，未來有望繼續提高堆疊層數，提升存儲密度。在DRAM技術方面，合肥長鑫等企業也有可能在制程工藝上取得新的突破，提高產品的性能和競爭力。

新型存儲介質技術

新型存儲介質技術被視為未來存儲半導體的發展方向。雖然目前新型存儲介質產業尚未成熟，但國內企業也在積極參與研究。如果國內企業能夠在新型存儲介質的產品路線和技術路線上取得突破，將有可能在全球存儲半導體市場中實現彎道超車。例如，率先研發出具有商業應用價值的新型存儲介質產品，將能夠引領全球存儲半導體技術的發展方向，從而在全球市場競爭中占據有利地位。

（三）市場份額提升潛力

國內市場

在國內市場，國產存儲半導體企業憑借本土化優勢，如更貼近客戶需求、更快的服務響應速度等，有較大的市場份額提升潛力。隨著國內企業技術水平的提高，產品性價比將進一步提升，在智能手機、物聯網設備、數據中心等市場中的份額有望逐步擴大。例如，在物聯網設備市場，由于國內物聯網企業眾多，對存儲半導體的需求多樣化，國產存儲半導體企業可以通過定制化產品和服務來滿足客戶需求，從而提高市場份額。