因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
封裝基板的常見(jiàn)材料
封裝基板的常見(jiàn)材料主要包括以下幾種:
· 塑料封裝基板:導(dǎo)熱率低,可靠性差,不太適合對(duì)性能要求較高的應(yīng)用。
· 金屬封裝基板:導(dǎo)熱系數(shù)高,但熱膨脹系數(shù)往往不匹配,價(jià)格也較高。
· 陶瓷封裝基板:
o 氧化鋁陶瓷基板:原料來(lái)源豐富,成本低,機(jī)械強(qiáng)度和硬度高,絕緣性能好,熱沖擊性能好,耐化學(xué)腐蝕,尺寸精度高,與金屬附著力好,是綜合性能較好的陶瓷基板材料,廣泛應(yīng)用于電子工業(yè),占陶瓷基板總量的 90%。
o 氮化鋁陶瓷基板:具有良好的導(dǎo)熱性、可靠的電絕緣性、低介電常數(shù)和介電損耗,與硅的熱膨脹系數(shù)相匹配,是新一代高集成度半導(dǎo)體基板和電子封裝的理想選擇材料,但核心原料氮化鋁粉的制備工藝復(fù)雜、能耗高、周期長(zhǎng)、成本高。
o 氮化硅陶瓷基板:具有硬度大、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、抗氧化性好、熱腐蝕性能好、摩擦系數(shù)小等優(yōu)良性能,與 Si、SiC、GaAs 等材料具有良好的匹配性,但介電性能較差,生產(chǎn)成本高。
o 碳化硅陶瓷基板:具有較高的熱導(dǎo)率,在高溫下可達(dá) 100w/(m·k)~400W/(m·k),但介電常數(shù)太高,抗壓強(qiáng)度低,只適合低密度封裝。
o 氧化鈹陶瓷基板:熱導(dǎo)率高,在高溫、高頻下電性能好,耐熱性、耐熱沖擊性和化學(xué)穩(wěn)定性好,但粉末具有毒性,生產(chǎn)成本高,限制了其生產(chǎn)和應(yīng)用。
o 氮化硼陶瓷基板:可以以六方晶和立方晶兩種形式結(jié)晶。
· 剛性基板:
o FR4:由玻璃纖維布浸漬在環(huán)氧樹(shù)脂中,然后經(jīng)過(guò)熱壓和固化處理形成的復(fù)合材料,具有阻燃性好,機(jī)械強(qiáng)度高,電絕緣性能優(yōu),熱穩(wěn)定性佳等特點(diǎn)。
o BT:具有高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,較低的熱膨脹系數(shù)與介電常數(shù),良好的絕緣性等,是 BGA 封裝的標(biāo)準(zhǔn)基板材料,也可用于 CSP 封裝。
o ABF:是一種應(yīng)用于 CPU、GPU 等高端芯片封裝中的高剛性及高度耐用的材料,通常用于作為封裝基板的內(nèi)層絕緣材料。
· 柔性基板:
o PI(聚酰亞胺)
o PEEK(聚醚醚酮)
o PET(聚酯)
o PDMS
封裝基板材料的特性
封裝基板材料的特性因材料種類而異:
· 氧化鋁陶瓷基板:電絕緣性能好,熱導(dǎo)率較高,熱沖擊性能良好,耐化學(xué)腐蝕,尺寸精度高,與金屬附著力好,但熱膨脹系數(shù)和介電常數(shù)相對(duì)較高。
· 氮化鋁陶瓷基板:導(dǎo)熱性出色,電絕緣性可靠,介電常數(shù)和介電損耗低,與硅的熱膨脹系數(shù)匹配良好,但制備成本高。
· 氮化硅陶瓷基板:硬度和強(qiáng)度高,熱膨脹系數(shù)小,抗氧化和熱腐蝕性能好,摩擦系數(shù)小,但介電性能較差,生產(chǎn)成本高。
· 碳化硅陶瓷基板:熱導(dǎo)率高,抗氧化性能好,但介電常數(shù)高,抗壓強(qiáng)度低。
· 氧化鈹陶瓷基板:熱導(dǎo)率高,在高溫高頻下電性能好,耐熱性等性能良好,但粉末有毒且生產(chǎn)成本高。
· 氮化硼陶瓷基板:具有不同的晶體結(jié)構(gòu),特性也有所不同。
· FR4:阻燃性好,機(jī)械強(qiáng)度高,電絕緣性能優(yōu),熱穩(wěn)定性佳。
· BT:玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高,熱膨脹系數(shù)和介電常數(shù)低,絕緣性好。
· ABF:高剛性,耐用。
對(duì)于一般的封裝基板,如 Al2O3 陶瓷,其熱膨脹系數(shù)和介電常數(shù)相對(duì) Si 單晶偏高,熱導(dǎo)率不夠高,不適合在高頻、大功率、超大規(guī)模集成電路中使用;SiC 陶瓷熱導(dǎo)率高,但介電常數(shù)高且介電強(qiáng)度低,只適于低密度封裝;AlN 材料介電性能優(yōu)良、化學(xué)性能穩(wěn)定,熱膨脹系數(shù)與硅較匹配,但熱導(dǎo)率有發(fā)展瓶頸。
而金剛石作為新型半導(dǎo)體封裝基板,熱導(dǎo)率高達(dá) 2200~2600W/(m.K),熱膨脹系數(shù)約為 1.1×10-6/℃,在半導(dǎo)體、光學(xué)等方面具備其他封裝材料所達(dá)不到的優(yōu)良特性。
封裝基板的作用
封裝基板主要起到以下作用:
· 為芯片提供電連接,實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的有效通信。
· 對(duì)芯片起到保護(hù)作用,防止外界環(huán)境對(duì)芯片造成損害,如物理沖擊、化學(xué)腐蝕等。
· 為芯片提供支撐,確保芯片在使用過(guò)程中的穩(wěn)定性。
· 幫助芯片散熱,將芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量有效地傳導(dǎo)出去,避免芯片因過(guò)熱而性能下降或損壞。
· 實(shí)現(xiàn)芯片的多引腳化,滿足復(fù)雜電路的連接需求。
· 縮小封裝產(chǎn)品的體積,提高集成度。
· 改善電性能,如降低信號(hào)干擾、提高傳輸速度等。
· 實(shí)現(xiàn)超高密度或多芯片的模塊化,便于系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和組裝。
不同材料對(duì)封裝基板作用的影響
不同的封裝基板材料因其特性的差異,對(duì)封裝基板的作用產(chǎn)生不同的影響:
· 對(duì)于散熱性能,如氧化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率相對(duì)較低,而氮化鋁、氮化硅、碳化硅等陶瓷基板的熱導(dǎo)率較高,能更有效地將芯片產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去。
· 在電性能方面,材料的介電常數(shù)和介電損耗會(huì)影響信號(hào)傳輸?shù)乃俣群唾|(zhì)量,低介電常數(shù)和介電損耗的材料如氮化鋁更有利于高頻信號(hào)的傳輸。
· 熱膨脹系數(shù)的匹配程度也至關(guān)重要,若基板材料與芯片的熱膨脹系數(shù)不匹配,在溫度變化時(shí)會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力,可能導(dǎo)致芯片損壞或連接失效。例如,氮化鋁的熱膨脹系數(shù)與硅較為匹配,能減少熱應(yīng)力的影響。
· 材料的機(jī)械強(qiáng)度和硬度會(huì)影響基板的支撐性能,如氮化硅陶瓷基板的硬度和強(qiáng)度高,能為芯片提供更穩(wěn)固的支撐。
· 材料的成本和可加工性也會(huì)影響封裝基板的應(yīng)用范圍和生產(chǎn)效率。
封裝基板材料和作用的最新研究進(jìn)展
隨著電子封裝技術(shù)的不斷發(fā)展,封裝基板材料和作用也在不斷演進(jìn):
· 在材料方面,研究人員致力于開(kāi)發(fā)更高性能、更低成本的封裝基板材料。例如,對(duì)陶瓷基板的研究集中在提高其導(dǎo)熱性能、降低生產(chǎn)成本和改善工藝;對(duì)有機(jī)基板材料的研究則注重提高其耐熱性、降低介電常數(shù)等性能。
· 在作用方面,封裝基板不僅要滿足傳統(tǒng)的電連接、保護(hù)、支撐和散熱等功能,還需要適應(yīng)更高集成度、更小尺寸、更高頻率和更復(fù)雜的系統(tǒng)需求。例如,在 5G 通信、人工智能等領(lǐng)域,對(duì)封裝基板的信號(hào)傳輸速度、散熱效率和可靠性提出了更高的要求。
· 同時(shí),新的封裝技術(shù)和工藝的出現(xiàn),也推動(dòng)了封裝基板材料和作用的創(chuàng)新。例如,系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)技術(shù)的發(fā)展,使得封裝基板需要具備更好的兼容性和多層互連能力。
· 半導(dǎo)體封裝清洗劑W3210介紹
· 半導(dǎo)體封裝清洗劑W3210是合明自主開(kāi)發(fā)的PH中性配方的電子產(chǎn)品焊后殘留水基清洗劑。適用于清洗PCBA等不同類型的電子組裝件上的焊劑、錫膏殘留,包括 SIP、WLP等封裝形式的半導(dǎo)體器件焊劑殘留。由于其 PH 中性,對(duì)敏感金屬和聚合物材料有絕佳的材料兼容性。
· 半導(dǎo)體封裝清洗劑W3210的產(chǎn)品特點(diǎn):
· 1、PH 值呈中性,對(duì)鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出絕佳的材料兼容性。
· 2、用去離子水按一定比例稀釋后不易起泡,可適用于噴淋、超聲工藝。
· 3、不含鹵素,材料環(huán)保;氣味清淡,使用液無(wú)閃點(diǎn),使用安全,不需要額外的防爆措施。
· 4、由于 PH 中性,減輕污水處理難度。
· 半導(dǎo)體封裝清洗劑W3210的適用工藝:
· W3210水基清洗劑適用于在線式或批量式噴淋清洗工藝,也可應(yīng)用于超聲清洗工藝。
· 半導(dǎo)體封裝清洗劑W3210產(chǎn)品應(yīng)用:
· W3210可以應(yīng)用于不同類型的焊劑殘留的水基清洗劑。產(chǎn)品為濃縮液,清洗時(shí)可根據(jù)殘留物的清洗難易程度,用去離子水稀釋后再進(jìn)行使用,安全環(huán)保使用方便,是電子精密清洗高端應(yīng)用的理想之選。
·