高性能計算、人工智能、5G 通信、數據中心和云計 算的快速發展使芯片的技術節點不斷向前推進，單顆 芯片上集成的晶體管數目已超過百億級。與此同時， 將更多功能集成在單顆芯片的難度不斷增大，設計與 制造的成本不斷上升。與 90 nm 技術節點相比，3 nm技術節點的投資成本增加了 35~40 倍，僅英特爾 （Intel）、臺積電（TSMC）和三星（Samsung）3 家頭部企 業參與其中。5 nm 技術節點的設計成本超過 5 億美 金，約是 28 nm 的 10 倍。為解決上述問題，出現了 Chiplet 概念。

Chiplet 作為一種設計概念，指將單顆集成復雜功 能的片上系統級芯片（SoC）離散成多顆特定功能的小 芯片（Chiplet，又稱“芯粒”），再采用封裝技術將其整合 在一起，構成多功能的異構系統級封裝（SiP），以持續 提高器件算力，縮短產品開發周期，提升產品良率，降 低整體成本。

高端性能封裝的結構
高端性能封裝主要以追求最優化計算性能為目的，其結構主要以 UHD FO、2.5D 和 3D 先進封裝為 主。在上述封裝結構中，決定封裝形式的主要因素為 價格、封裝密度和性能等。 

由 TSMC 在先進封裝上的主要業務可知，推動高 端性能封裝的主要項目為高性能計算與高帶寬存儲， 其代表結構為基于硅轉接板的芯片在晶圓基板上的 封裝（CoWoS@-S），是一種典型的 2.5D 封裝結構。該 結構將處理芯片和存儲芯片平鋪在硅轉接板上，采用 線寬 / 線間距為 0.4 μm /0.4 μm 的金屬布線將其互 連。TSMC 突破光罩對硅轉接板面積的限制，結合集成 芯片的數量，制定了其在 2.5D 封裝上的發展路線。 Intel 和 Samsung 在 2.5D 封裝上，也具有類似的封裝結構。對于 2.5D 封裝而言，硅轉接板可提供亞微米 級高密度布線，能夠顯著提升多芯片的組裝密度。隨 著高帶寬存儲芯片的數據傳輸效率逐步提升，采用 2.5D 封裝連接存儲芯片和處理器芯片將成為主流的 選擇。然而，硅轉接板采用前道晶圓制造的設備和工 藝，制作成本相對昂貴。為此，一些企業在 FO 封裝的 基礎上進一步深耕，開發出多樣化的結構，以滿足一 些稍低端產品的需求。

FO 通過晶圓重構技術，將多顆相同或不同的芯 片靈活組合起來，以實現多芯片集成的目的。在此基 礎上，FO 采用高密度布線有機層、硅橋和高速基板等 來提升器件的性能，衍生出了 2D、2.1D、2.2D 和 2.3D 封裝結構，以實現超高密度 I/O 的連接。由于 FO 主要采用高分子材料來制造芯片間的微米級布線，其 自身的線寬 / 間距的尺寸極限也相對明顯。為進一步 縮小 FO 封裝的布線尺寸，新的設備與材料有待開發， 同時，封裝成本也將大大提高。因此，FO 封裝主要應 用在性能相對較低的存儲器與處理器芯片上。 

在高端性能封裝中，處理芯片和存儲芯片對高帶 寬、低延遲有嚴格的要求，3D 封裝是最理想的方案。目 前，常見的 3D 封裝結構為存儲芯片間垂直互連以及 存儲芯片與邏輯芯片間的連接。在上述結構中，除采 用微凸點的芯片堆疊（C2C）和晶圓上芯片（C2W）工藝 外，基于硅通孔和混合鍵合（HB）的無凸點工藝實現了 異構異質芯片間的最短距離互連，將器件性能提至最 優，其投資成本也最高。預計在 2023 年，TSMC 采 用 HB 的集成芯片系統封裝（SoIC）將率先實現量產。 

隨著高端性能封裝技術的發展，不同維度封裝結 構間的界限將變得模糊，將其集合成一個系統的 SiP 會變得普遍，圖 1 為集成多維度封裝的 SiP 結構示意 圖。例如 Intel 的最新產品 Ponte Vecchio 集成了嵌入 式多芯片互連橋接技術（EMIB）和邏輯晶圓 3D 堆疊 技術（Foveros）；TSMC 的 SoIC 也可與 CoWoS 和集成扇出型疊層封裝（InFO-PoP）相結合并共同使用。上述 結構可以實現器件對性能的極致追求，同時，多顆處 理芯片的集成也為器件的熱耗散帶來巨大挑戰。 

先進封裝芯片清洗劑：

先進封裝產品芯片焊后封裝前，基板載板焊盤上的污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

針對先進封裝產品芯片焊后封裝前，基板載板焊盤、電子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經驗，對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況，自主開發了較為完整的水基系列產品，精細化對應涵蓋從半導體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多（測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。