IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)功率模塊兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優點，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類IGBT模塊化產品，一般所說的IGBT也指 IGBT 模塊;隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見;IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在新能源電動汽車、軌道交通、智能電網、航空航天與新能源裝備等領域應用極廣。

IGBT 門檻較高，長期以來主要由英飛凌、富士電機等壟斷，市場競爭方面，英飛凌占據了絕對的領先地位，其模組產品市占率35.6%、分立器件產品市占率 32.5%。不過國內 IGBT 企業也在奮起直追，新參與者也不斷涌入。

IGBT 新參與者主要分為三類：

一是老牌功率器件廠商逐漸向 IGBT 等高端業務擴展業務。

二是終端廠商向供應鏈上游拓展，如比亞迪于 2005 年進入IGBT產業，目前其推出的 IGBT 4.0 產品在電流輸出、綜合損耗及溫度循環壽命等許多關鍵指標上超越了英飛凌等主流企業的產品，并實現了對外供應;

三是新創企業進入IGBT 賽道，如芯聚能半導體于 2019 年 9 月開啟 25 億元的投資項目，目標面向新能源汽車用功率模塊。

國內IGBT產業鏈主要廠商：

IDM廠商株洲中車時代電氣、深圳比亞迪、杭州士蘭微、吉林華微、中航微電子、中環股份等;

模組廠商西安永電、西安愛帕克、威海新佳、江蘇宏微、嘉興斯達、南京銀茂、深圳比亞迪等;

芯片設計廠商中科君芯、西安芯派、寧波達新、無錫同方微、無錫新潔能、山東科達等;

芯片制造廠商華虹宏力、上海先進、深圳方正微、中芯國際、華潤上華等。

注：名單排名不分先后，不完全統計。僅供參考！

1.比亞迪半導體 

成立時間：2003年

業務模式：IDM業務模式：IDM

簡介：比亞迪半導體股份有限公司是國內領先的IDM企業，主要從事功率半導體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導體，半導體制造及服務，覆蓋了對光、電、磁等信號的感應、處理及控制， 產品廣泛應用于汽車、能源、工業和消費電子等領域，具有廣闊的市場前景。

比亞迪半導體2007 年建立 IGBT 模塊生產線，2009年完成首款車規級IGBT芯片開發，可提供包含裸芯片、單管、功率模塊等不同形式的產品。2018 年底發布其自研車規級IGBT 4.0 技術。

 2.中車時代電氣  

成立時間：2005年

業務模式：IDM

簡介：株洲中車時代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業，公司是我國唯一一家全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術的廠家，國內唯一自主掌握了高鐵動力 IGBT 芯片及模塊技術的企業。

 3.士蘭微 

成立時間：1997年

業務模式：IDM

簡介：杭州士蘭微電子股份有限公司是專業從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業。公司成立于1997年9月，總部在中國杭州。

士蘭微電子建在杭州錢塘新區的集成電路芯片生產線目前實際月產出達到22萬片，在小于和等于6英寸的芯片制造產能中排在全球第二位。公司8英寸生產線于2015年開工建設，2017年投產，成為國內第一家擁有8英寸生產線的IDM產品公司，2020年實際月產能達到5～6萬片。2018年，公司12英寸特色工藝晶圓生產線及先進化合物半導體器件生產線在廈門開工建設。2020年，士蘭化合物半導體生產線正式投產，士蘭12英寸芯片生產線開始試產。

公司目前的產品和研發投入主要集中在以下三個領域：

?基于士蘭芯片生產線高壓、高功率、特殊工藝的集成電路、功率模塊(IPM/PIM)、功率器件及（各類MCU/專用IC組成的）功率半導體方案

?MEMS傳感器產品、數字音視頻和智能語音產品、通用ASIC電路

?光電產品及LED芯片制造和封裝（含內外彩屏和LED照明）

4.華潤微 

成立時間：1997年

業務模式：IDM

簡介：公司產品聚焦于功率半導體、智能傳感器領域，為客戶提供系列化的半導體產品與服務。

 5.揚杰科技 

成立時間：2006年

業務模式：IDM

簡介：揚州揚杰電子科技股份有限公司是國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業鏈垂直一體化（IDM）的廠商。產品線含蓋分立器件芯片、整流器件、保護器件、小信號、MOSFET、功率模塊、碳化硅等，為客戶提供一攬子產品解決方案。

于2018年3月控股一條宜興 6 英寸生產線，目前已開始量產用于電磁爐等小家電的 IGBT 芯片；2018 年公司 IGBT芯片實際產出近 6000 片。

 6.華微電子 

成立時間：1999年

業務模式：IDM

簡介：公司擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體分立器件及IC芯片生產線，芯片加工能力為每年500萬片，封裝資源為每年24億只，模塊每年1800萬塊。

公司主要生產功率半導體器件及IC，目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營銷主線的系列產品，產品種類基本覆蓋功率半導體器件全部范圍，廣泛應用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業控制與LED照明等領域，并不斷在新能源汽車、光伏、變頻等戰略性新興領域快速拓展。

2019年4月公司募投8英寸生產線項目，重點用于工業傳動、消費電子等領域 IGBT芯片的生產。

 7.斯達半導 

成立時間：2005年

業務模式：模組

簡介：嘉興斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業從事功率半導體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發、生產和銷售服務的國家級高新技術企業，公司總部位于浙江嘉興，在上海和歐洲均設有子公司，并在國內和歐洲設有研發中心，是目前國內IGBT領域的領軍企業。

公司主要產品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研發出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實現了進口替代。其中IGBT模塊產品超過600種，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。產品已被成功應用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風力發電、SVG、白色家電等領域。

根據2020年國際著名研究及咨詢機構IHS最新研究報告，嘉興斯達半導體股份有限公司在全球IGBT模塊市場排名第七，是唯一一家進入全球前十的中國企業。

 8.南京銀茂微 

成立時間：2007年

業務模式：模組

簡介：南京銀茂微電子專注于工業和其他應用的功率IGBT和MOSFET模塊產品的設計和制造。

通過采用現代化的設備來處理和表征高達3.3kV的電源模塊，建立了先進的電源模塊制造能力。自2009年以來，已通過ISO9001和ISO14001認證，并且大多數產品還通過了UL認證。能夠執行電源模塊鑒定測試，例如室內電氣和環境壽命測試。于2016年獲得TS16949認證。

 9.達新半導體 

成立時間：2013年

業務模式：模組

簡介：寧波達新半導體有限公司是由海歸博士創立的一家中外合資的國家級高新技術企業，公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片與器件的設計、制造和銷售，并提供相關的應用解決方案。

公司總部位于浙江省余姚市，建有國內領先的測試應用評估中心，中心包括芯片評估、器件測試、應用分析及可靠性等實驗室。公司建有一條制造手段先進IGBT模塊產線，在上海有芯片設計中心，負責芯片設計和制造管理。公司具備芯片設計、晶圓制造、模塊制造及應用的完整IGBT產業鏈，在IGBT芯片開發，模塊制造和產品應用具有自己獨特優勢。

公司在8寸及6寸晶圓制造平臺成功開發600V-3300V IGBT芯片產品，芯片電流等級涵蓋10A～200A。采用自主IGBT芯片，推出了系列化的滿足工業應用、消費電子、新能源的IGBT模塊，模塊電壓涵蓋600V～1700V，電流等級涵蓋10A ～ 800A。公司IGBT產品可廣泛應用于白色家電、逆變焊機、工業變頻、感應加熱、大功率電源、UPS、新能源汽車、太陽能/風力發電、SVG等領域。

10.江蘇宏微 

成立時間：2006年

業務模式：模組

簡介：江蘇宏微科技股份有限公司是由一批長期在國內外從事電力電子產品研發和生產，具有多種專項技術的科技人員組建的國家重點高新技術企業。是國家高技術產業化示范工程基地，國家IGBT和FRED標準起草單位。

業務范圍包括：

1、設計、研發、生產和銷售新型電力半導體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標準模塊及用戶定制模塊(CSPM)；

2、高效節能電力電子裝置的模塊化設計、制造及系統的解決方案，如動態節能照明電源、開關電源、UPS、逆變及變頻裝置等。

11.廣東芯聚能 

成立時間：2018年

業務模式：模組

簡介：廣東芯聚能是一家車規級功率半導體元器件研發、生產和銷售的高新技術企業。

主營業務包括：面向新能源電動汽車（EV、HEV）主驅動器的核心功率半導體芯片設計、器件與模塊產品的研發、生產、銷售與服務支持。同時也提供工業、民用級功率半導體相關產品，可廣泛應用于變頻家電、工業變頻器、光伏發電、智能電源裝備等領域。

12.中芯紹興  

成立時間：2018年

業務模式：制造

簡介：紹興中芯集成電路制造股份有限公司(中芯紹興，SMEC)成立于2018年3月, 總部位于浙江紹興，是一家專注于功率, 傳感和傳輸應用領域，提供特色工藝集成電路芯片及模塊封裝的代工服務的制造商。

技術上，立足于場截止型（Field Stop）IGBT結構，采用業界先進的背面加工工藝，包括背面減薄工藝、離子注入、激光退火及特殊金屬沉積工藝。600V~1200V等器件工藝均已實現大規模量產。

中芯紹興自成立以來，聚焦在人工智能、移動通信、車載、工控等領域，通過構建持續研發和產業化能力，努力實現在微機電系統和功率器件制造工藝方面，達到國際一流水平的目標。

13.華虹宏力 

成立時間：2003年

業務模式：制造

簡介：自建設中國大陸第一條8英寸集成電路生產線起步，目前在上海金橋和張江共有三條8英寸生產線（華虹一、二及三廠），月產能約18萬片。華虹宏力工藝技術覆蓋1微米至90納米各節點，其嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺在全球業界極具競爭力，并擁有多年成功量產汽車電子芯片的經驗。

14.深圳方正微  

成立時間：2003年

業務模式：制造

簡介：深圳方正微電子有限公司(簡稱“方正微電子”)成立于2003年12月。是一家從事集成電路芯片制造的國家高新技術企業。

公司致力于電源管理芯片和新型電力電子器件產業化，持續聚焦智能手機、平板電腦、變頻家電、LED照明以及新能源汽車等新興領域對功率半導體的市場需求，秉持晶圓代工經營模式，專注于為客戶提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等領域的晶圓制造技術。

方正微電子是國內首家實現6英寸碳化硅器件制造的廠商，其開發的13個系列的碳化硅產品已進入商業化應用，性能達到國際先進水平。另外,公司成功開發出使用6英寸硅基氮化鎵材料制備的HEMT和SBD器件，耐壓超過1200V，性能居國內領先水平。

15.上海先進 

成立時間：1988年

業務模式：制造

簡介：上海先進半導體制造有限公司（簡稱“上海先進”），于1988年由中荷合資成立為上海飛利浦半導體公司，1995年易名為上海先進半導體制造有限公司，2004年改制為上海先進半導體制造股份有限公司，2019年被上海積塔半導體有限公司吸收合并，改制為上海先進半導體制造有限公司。

上海先進位于上海市徐匯區漕河涇新興技術開發區，是一家大規模集成電路芯片制造公司。目前，公司有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產線，專注于模擬電路、功率器件的制造，8英寸等值晶圓年產能66.4萬片

16.華潤上華 

業務模式：制造

簡介：隸屬于華潤微電子，華潤上華擁有兩條六英寸代工線和一條八英寸代工線，其六英寸生產線是國內首家開放式晶圓代工廠。以產能計為目前國內最大的六英寸代工企業，月產能逾21萬片，工藝線寬在0.5微米以上；八英寸生產線目前月產能已達6.5萬片。

17.深圳芯能 

成立時間：2013年

業務模式：設計

簡介：深圳芯能半導體技術有限公司(Xiner  芯能半導體)成立于2013年，致力于IGBT芯片、IGBT驅動芯片以及大功率智能功率模塊的研發、應用和銷售。主要人員都有十多年的行業積累，在國內率先成功量產基于FST工藝的IGBT產品。

目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT產品，IGBT單管、IPM、IGBT模塊和HVIC四個領域都有完善的產品序列，產品性能國內領先。產品廣泛應用于工業變頻器、伺服驅動器、變頻家電、電磁爐、工業電源、逆變焊機等領域；針對中大功率產品，芯能也能提供系統化解決方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產品均得到終端客戶的一致認可。

芯能是國內唯一一家同時具備IGBT芯片、IGBT驅動芯片以及大功率智能功率模塊設計能力的公司。

18.上海陸芯 

成立時間：2015年

業務模式：設計

簡介：上海陸芯電子科技有限公司是一家專注于最新一代功率半導體器件的高科技公司。公司經過不斷努力，成功通過 ISO9001：2015質量管理體系認證，擁有自主知識產權和品牌。陸芯公司目前累計擁有17項自主創新專利。

陸芯科技具有強勁的工藝開發技術和設計能力，是國內新一代功率半導體技術的領航企業。陸芯科技功率半導體產品包括：最新一代Trench Field-Stop技術的400V 200A~400A系列IGBT、650V 10A~200A系列IGBT、1200V&1350V 15A~100A系列IGBT；500V~900V系列SJMOS、650V&1200V系列功率二極管；650V&1200V系列SiC二極管。

陸芯科技的產品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊，具有以下技術優勢：通過優化耐壓終端環，實現IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達到工業級和汽車級可靠性標準；通過控制少子壽命，優化飽和壓降和開關速度；實現安全操作區（SOA）和短路電流安全操作區域SCSOA性能最優；改善IGBT有源區元胞設計可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應；調節背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實現60um~180um晶圓厚度的大規模量產。

19.中科君芯 

成立時間：2011年

業務模式：設計

簡介：江蘇中科君芯科技有限公司是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發的中外合資高科技企業。公司成立于2011年底，依托中國科學院的科研團隊和研發平臺，結合海內外的技術精英以及專業的市場管理團隊共同組建而成。

作為國內業界的領軍者，君芯科技是國內率先開發出溝槽柵場截止型（Trench FS）技術并真正實現量產的企業。公司推出的IGBT芯片、單管和模塊產品從600V至6500V，覆蓋了目前主要電壓段及電流段，已批量應用于感應加熱、逆變焊機、工業變頻、新能源等領域，并得到客戶的廣泛認可。

君芯科技獨創的DCS技術將應用于最新的汽車級IGBT芯片中。

20.無錫新潔能 

成立時間：2009年

業務模式：設計

簡介：無錫新潔能專業從事半導體功率器件的研發與銷售。目前公司主要產品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關核心技術已獲得多項專利授權，四大系列產品均獲得江蘇省高新技術產品認定。

21.科達半導體 

成立時間：2007年

業務模式：設計

簡介：科達半導體有限公司主要從事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導體器件( 電力電子器件）的設計、生產和銷售。公司擁有國內一流的設計研發團隊，所設計研發的IGBT及FRD產品國內先進。公司擁有省級設計中心，省級功率半導體工程中心，并配有功能齊全的性能測試實驗室和可靠性實驗室。公司產品廣泛應用于電磁爐、小功率變頻器、逆變焊機、無刷馬達控制器、UPS、開關電源、液晶電視及顯示器、太陽能應用等領域。

 22.西安芯派 

成立時間：2008年

業務模式：設計

簡介：西安芯派電子科技有限公司(簡稱芯派科技)成立于2008年，是一家集研發、生產和銷售為一體的高新技術企業，產品包含：中大功率場效應管(MOSFET，低壓至高壓全系列產品)、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、二極管(含快速恢復二極管及肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC等。

 23.無錫紫光微 

業務模式：設計

簡介：無錫紫光微電子有限公司是由紫光同芯微電子有限公司投資的一家高新技術企業，是一家專注于先進半導體功率器件和集成電路的設計研發、芯片加工、封裝測試及產品銷售的集成電路設計企業。

公司的團隊是由一批在國內外著名半導體公司工作多年的具有豐富產品設計、經營管理經驗的成員組成。公司開發和生產的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先進半導體功率器件以及相關的電源管理集成電路等產品廣泛應用于節能、綠色照明、風力發電、智能電網、混合動力電動汽車、儀器儀表、消費電子等領域。

部分來源：第三代半導體產業