芯片的晶圓級封裝制程

晶圓級封裝或 WLP，是一種在晶圓級執(zhí)行的 IC 封裝技術(shù)。這意味著封裝是在整個晶圓上進(jìn)行的，只有在封裝完成后才能切割晶圓。在晶圓級封裝中，組裝中使用的組件（例如凸塊）應(yīng)用于晶圓預(yù)切割，例如在晶圓級。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造中，晶圓首先被切割成單獨的裸片，然后組裝成半導(dǎo)體封裝，如 QFN 或 BGA。

圖 1：晶圓級封裝

除了體積小和成本低的優(yōu)勢外，晶圓級封裝還提供晶圓級晶圓制造、測試的集成，從而實現(xiàn)更精簡的制造過程，簡化器件從硅基到成品交付的過程客戶產(chǎn)品。

晶圓級封裝也稱為芯片級封裝 (CSP)，主要分為兩種封裝類型：扇入型和扇出型。

圖 2：扇入和扇出封裝類型。扇入 (WLCSP) 本質(zhì)上是一個凸塊芯片

在晶圓級封裝出現(xiàn)之前，使用導(dǎo)線將芯片連接到基板，從芯片的邊緣到基板上相應(yīng)的引腳/焊盤，這一過程稱為引線鍵合。引線鍵合有兩個主要問題：電氣性能低，因此不適合高性能和高頻應(yīng)用，以及每個芯片的引線數(shù)量限制，從而對相關(guān)芯片的數(shù)據(jù)傳輸能力造成很大障礙。

隨著時間的推移和摩爾定律的影響越來越明顯，電路不斷縮小和縮小，這使得電線變得更細(xì)和更長，從而產(chǎn)生了更多的問題，例如浪費功率和時序滯后。這導(dǎo)致不可避免地過渡到倒裝芯片封裝，這解決了使用引線鍵合引起的許多功能障礙。倒裝芯片制造技術(shù)包括用整個晶圓頂表面的焊料凸塊（稱為焊盤或互連點）代替導(dǎo)線，從面積的角度來看，會增加電氣連接的密度。切割晶圓后，芯片被翻轉(zhuǎn)并通過凸塊或銅柱附著到基板上。

晶圓級封裝，有時稱為WLCSP（晶圓級芯片級封裝），是目前市場上可用的最小封裝技術(shù)，由 OSAT（外包半導(dǎo)體組裝和測試）公司提供， 真正的 WLP 封裝雖然是由晶圓和RDL（再分布層）、中介層或 I/O 間距形成的，所有這些都用于重新排列管芯的引腳/觸點，以便分散開并足夠大以提供更好和更容易處理。

晶圓級封裝的類型

WLP 主要可分為兩大類：扇入 WLP（FIWLP 或 WLCSP）和扇出 WLP（FOWLP 或 eWLB）。兩者之間的區(qū)別在于插入器級別。在 FIWLP 的情況下，內(nèi)插器與裸片尺寸相同，而在 FOWLP 封裝中，內(nèi)插器比裸片大，類似于傳統(tǒng)的 BGA 封裝。

FOWLP 和 FIWLP 與 BGA 封裝的區(qū)別在于，在 WLP 封裝的情況下，內(nèi)插器直接應(yīng)用在晶圓上，而不是使用倒裝芯片技術(shù)，其中 BGA 芯片連接并回流到內(nèi)插器。在 FIWLP 和 FOWLP 封裝中，芯片和內(nèi)插器可以封裝在保護材料中，例如環(huán)氧樹脂或耐熱塑料。

圖 3：WLP 側(cè)面結(jié)構(gòu)圖

晶圓級封裝的用途和好處

因為 I/O 需求不斷增長，并且需要越來越大的互連密度。這產(chǎn)生了 RDL（重新分布層），它通過導(dǎo)電金屬跡線重新路由芯片的連接。

RDL 也很有用，因為它使 WLP 封裝能夠包含具有不同功能的不同芯片，這成為系統(tǒng)級封裝，簡稱 SiP。這些封裝系統(tǒng)經(jīng)常用于移動設(shè)備市場，因為它們可以做得非常緊湊以適應(yīng)空間限制，而且它們還將所有需要的功能打包到一個結(jié)構(gòu)中。

使用 WLP 方法的另一個好處是能夠垂直堆疊芯片和/或水平平鋪芯片。這導(dǎo)致了 2.5D 和 3D IC 的發(fā)展，它們利用 FOWLP 技術(shù)和/或 TSV 來連接多層密集水平互連（由銅制成），并以更低的功耗確保更高的帶寬。

當(dāng)只使用TSV時，我們說IC在制造過程中使用2.5D空間排列，簡稱2.5D IC。當(dāng)我們添加多個芯片并將它們堆疊在一起時，我們需要用凸點和/或 RDL（如果需要）將它們連接起來，這會創(chuàng)建一個復(fù)雜的 3D 結(jié)構(gòu)，因此將此類 IC 命名為 3D IC。

這項新技術(shù)被用于服務(wù)器領(lǐng)域、圖像傳感器、游戲機、高端超級計算、人工智能和 IoT（物聯(lián)網(wǎng)）設(shè)備。由于業(yè)界尚未對 WLP 方法進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，因此可以考慮多種不同的可用方案。該決定歸結(jié)為設(shè)備制造商對可靠性、成本、功耗、性能甚至外形因素施加的特定重要性。

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