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先進(jìn)封裝中2.5D封裝與3.5D封裝的區(qū)別與先進(jìn)封裝清洗劑的選擇介紹

什么是先進(jìn)封裝:將芯片間通信問(wèn)題提升至1級(jí)封裝層級(jí)的技術(shù) 

何為先進(jìn)封裝?要理解這個(gè)問(wèn)題首先要理解何為封裝。

封裝技術(shù)的定義為,在半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)的最后階段,將一小塊材料(硅晶芯片,邏輯和存儲(chǔ)器)包裹在支撐外殼中,以防止物理?yè)p壞和腐蝕,并允許芯片連接到電路板的工藝技術(shù)。根據(jù)該定義,我們可以提煉出封裝的兩大關(guān)鍵作用:1)解決芯片如何與外界連接的問(wèn)題;2)芯片隔絕保護(hù)與支撐。

一、什么是2.5D  封裝?


在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,2.5D是特指采用了中介層(interposer)的集成方式,中介層目前多采用硅材料,利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。


雖然理論上講,中介層中可以有TSV也可以沒(méi)有TSV,但在進(jìn)行高密度互聯(lián)時(shí),TSV幾乎是不可缺少的,中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。
2.5D封裝的整體結(jié)構(gòu)如下圖所示。


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二、3D封裝的特點(diǎn)


和2.5D是通過(guò)中介層進(jìn)行高密度互連不同,3D是指芯片通過(guò)TSV直接進(jìn)行高密度互連。


大家知道,芯片面積不大,上面又密布著密度極高的電路,在芯片上進(jìn)行打孔自然不是容易的事情,通常只有Foundry廠可以做得到,這也是為什么到了先進(jìn)封裝時(shí)代,風(fēng)頭最盛的玩家成了TSMC, Intel, Samsung這些工藝領(lǐng)先的芯片廠商。因?yàn)樽钕冗M(jìn)的工藝掌握在他們手里,在這一點(diǎn)上,傳統(tǒng)的OSAT還是望塵莫及的。
在芯片上直接生成的TSV則被稱為3D TSV,3D封裝的整體結(jié)構(gòu)如下圖所示。


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三、先進(jìn)封裝新概念-3.5D  封裝的特點(diǎn)


什么是3.5D,最簡(jiǎn)單的理解就是3D+2.5D,不過(guò),既然有了全新的名稱,必然要帶有新的技術(shù)加持,這個(gè)新技術(shù)是什么呢?


就是我們前文講述的混合鍵和技術(shù)Hybrid Bonding。
混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D TSV的直接互連,省卻了Bump,其界面互連間距可小于10um甚至1um,其互連密度則可達(dá)到每平方毫米10000~1000000個(gè)點(diǎn)。


這是傳統(tǒng)的凸點(diǎn)互連遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法達(dá)到的,因此,在高密度的3D互連中,凸點(diǎn)最終會(huì)消失,如下圖所示,這一點(diǎn)也是我在以前的文章中闡述過(guò)的。


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目前來(lái)說(shuō),3.5D就是3D+2.5D,再加上Hybrid Bonding技術(shù)的加持。

硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via,TSV)是通過(guò)導(dǎo)穿硅晶圓或芯片實(shí)現(xiàn)多層垂直互連的技術(shù)。目前 TSV 技術(shù)主要應(yīng)用于 3 個(gè)方向,即垂直背面連接、2.5D 封裝、3D 封裝,其中垂直背面連接主要應(yīng)用在 CIS、SiGe 功率放大器,技術(shù)難度相對(duì)較低;2.5D 中 TSV 的應(yīng)用體現(xiàn)在中介層(interposer)的硅通孔制作,服務(wù)于用作多芯片間(例如 GPU 與存儲(chǔ)之間)水平連接的載體,技術(shù)難度較高;3D 封裝中 TSV 技術(shù)的應(yīng)用體現(xiàn)在芯片上直接進(jìn)行硅通孔制作,目前常見(jiàn)于高帶寬存儲(chǔ)芯片(如 HBM),技術(shù)難度高。從當(dāng)前主流的高端先進(jìn)封裝方案來(lái)看,中介層和芯片內(nèi)部硅通孔技術(shù)都已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,特別是在解決高帶寬存儲(chǔ)(存儲(chǔ)間通信)、存儲(chǔ)與算力芯片間通信的問(wèn)題上起到關(guān)鍵作用。 

四、先進(jìn)封裝清洗劑介紹

芯片級(jí)封裝在nm級(jí)間距進(jìn)行焊接,助焊劑作用后留下的活性劑等吸濕性物質(zhì),較小的層間距如存有少量的吸濕性活性劑足以占據(jù)相對(duì)較大的芯片空間,影響芯片可靠性。要將有限的空間里將殘留物帶離清除,清洗劑需要具備較低的表面張力滲入層間芯片,達(dá)到將殘留帶離的目的。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技是一家電子水基清洗劑 環(huán)保清洗劑生產(chǎn)廠家,其產(chǎn)品覆蓋先進(jìn)封裝清洗劑半導(dǎo)體清洗、芯片清洗、PCBA電路板清洗劑、助焊劑清洗劑等電子加工過(guò)程整個(gè)領(lǐng)域。合明科技先進(jìn)封裝清洗劑產(chǎn)品包含晶圓級(jí)封裝清洗劑SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗劑倒裝芯片清洗劑POP堆疊芯片清洗劑等。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。

 


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