扇出型晶圓級封裝技術采取在芯片尺寸以外的區域做I/O接點的布線設計，提高I/O接點數量。采用RDL工藝讓芯片可以使用的布線區域增加，充分利用到芯片的有效面積，達到降低成本的目的。扇出型封裝技術完成芯片錫球連接后，不需要使用封裝載板便可直接焊接在印刷線路板上，這樣可以縮短信號傳輸距離，提高電學性能。

扇出型晶圓級封裝技術的優勢在于能夠利用高密度布線制造工藝，形成功率損耗更低、功能性更強的芯片封裝結構，讓系統級封裝（System in a Package, SiP）和3D芯片封裝更愿意采用扇出型晶圓級封裝工藝。

傳統的封裝技術如倒裝封裝、引線鍵合等，其信號互連線的形式包括引線、通孔、錫球等復雜的互連結構。這些復雜的互連結構會影響芯片信號傳輸的性能。在扇出型封裝中（見圖2），根據重布線的工序順序，主要分為先芯片（Chip first）和后芯片（Chip last）兩種工藝，根據芯片的放置方式，主要分為面朝上（Face up）和面朝下（Face down）兩種工藝，綜合上述四種工藝，封裝廠根據操作的便利性，綜合出以下三種組合工藝，分別是面朝上的先芯片處理（Chip first-face up）、面朝下的先芯片處理（Chip first-face down）和面朝下的后芯片處理（Chip last-face down）。接下來分別對這三種工藝進行闡述。

1、面朝上的先芯片處理。

面朝上是讓芯片的線路面朝上，采用RDL工藝的方式構建凸塊，讓I/O接觸點連接，最后切割單元芯片。（見圖3）

圖3 面朝上的先芯片處理工藝示意圖

面朝上的先芯片處理工藝流程如下：

步驟一

先將芯片切割分離，再將合格的芯片排列放置在帶有臨時鍵合膠的臨時載板上。

步驟六

將合格的芯片切割分離。

步驟

將芯片用塑封材

料塑封。

步驟五

將臨時鍵合膠和臨時載體通過紫外光分離，封裝完成。

步驟三

利用化學機械拋光(Chemical Mechani-cal Polishing,CMP)將塑封層減薄，此工藝成本較高。

步驟四

在芯片表面做

RDL 與植錫球。

2、面朝下的先芯片處理。

面朝下是讓芯片的線路面朝下的工藝。面朝下與面朝上的區別主要在于芯片帶有焊盤一側的放置方向不同。（見圖4）

圖4 面朝下的先芯片處理工藝示意圖

面朝下的先芯片處理工藝流程如下：

3、面朝下的后芯片處理。

后芯片是先在臨時膠帶表面進行RDL工藝，然后通過面朝下的方式將芯片與RDL互連，在注塑機中進行塑封、植錫球后完成切割。其與先芯片的主要區別在于RDL的先后順序。

圖5 面朝下的后芯片處理工藝示意圖

面朝下的后芯片處理工藝流程如下：

綜上所述，面朝上的先芯片處理工藝由于需要利用CMP將塑封層減薄，所以此工藝成本較高，一般封裝廠較少采用。面朝下的先芯片處理工藝在移除載板并添加RDL制程時易造成翹曲，所以工藝操作時需要提前防范，但是此工藝封裝廠應用較多，例如蘋果的A10處理器。面朝下的后芯片處理工藝先采用RDL工藝，這樣可以降低芯片封裝制程產生的不合格率，目前封裝廠應用也較多。

在FOWLP工藝中，重布線層作為工藝中必不可少的一個環節，它是在晶圓表面沉積金屬層和絕緣層形成相應的金屬布線圖案，采用高分子薄膜材料和Al/Cu金屬化布線對芯片的I/O焊盤重新布局成面陣分布形式，將其延伸到更為寬松的區域來植錫球。

扇出型晶圓級封裝芯片封裝清洗：

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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