年復一年，越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數據。為了跟上這一趨勢并使數據傳輸更快、更高效，第五代移動通信 (5G) 正在推出，業界已經在關注未來的發展。5G 可實現 10Gbit/s 的峰值數據速率，而 6G 預計從 2030 年起將以 100Gbit/s 的速度運行。除了應對更多數據和連接之外，研究人員還研究下一代無線通信如何支持自動駕駛和全息存在等新用例。
為了實現極高的數據速率，電信行業一直在提高無線信號的頻率。雖然 5G 最初使用 6GHz 以下頻段，但針對 28/39GHz 的產品已經展示。此外，由于 FR3 (6-20GHz) 頻段能夠平衡覆蓋范圍和容量，因此人們對 5G 網絡使用 FR3 (6-20GHz) 頻段越來越感興趣。對于 6G，100GHz 以上的頻率正在討論中。
轉向更高的頻率有幾個優點：可以使用新的頻段，解決現有頻段內的頻譜稀缺問題。而且，工作頻率越高，就越容易獲得更寬的帶寬。原則上，高于 100GHz 的頻率和高達 30GHz 的帶寬允許電信運營商在無線數據鏈路中使用低階調制方案，從而降低功耗。較高的頻率還與較小的波長 (λ) 相關。隨著天線陣列尺寸隨λ 2縮放，天線陣列可以排列得更密集。這有助于更好的波束成形，這種技術可確保大部分傳輸能量到達目標接收器。但更高頻率的出現是有代價的。如今，CMOS是構建發射器和接收器關鍵組件的首選技術。其中包括前端模塊內的功率放大器，用于向天線發送射頻信號或從天線發送射頻信號。工作頻率越高，基于 CMOS 的功率放大器就越難以以足夠高的效率提供所需的輸出功率。
這就是GaN 和 InP等技術發揮作用的地方。由于出色的材料特性，這些 III/V 族半導體更有可能在高工作頻率下提供所需的輸出功率和效率。例如，GaN具有高電流密度、高電子遷移率和大擊穿電壓。高功率密度還可以實現較小的外形尺寸，從而在相同性能的情況下減小總體系統尺寸。升級的機遇與挑戰
但如果我們考慮成本和集成的簡易性，GaN 和 InP 器件技術還無法與基于 CMOS 的技術完全競爭。III/V 器件通常在小型且昂貴的非硅襯底上制造，依賴于不太適合大批量制造的工藝。將這些器件集成在 200 或 300mm 硅晶圓上是一種有趣的方法，可以在保持卓越射頻性能的同時實現整體優化。硅基板不僅更便宜，而且兼容 CMOS 的工藝還可以實現大規模制造。
在 Si 平臺上集成 GaN 和 InP需要結合新的晶體管和電路設計方法、材料和制造技術。主要挑戰之一與大晶格失配有關：InP 為 8%，GaN 為 17%。眾所周知，這會在層中產生許多缺陷，最終降低器件性能。
此外，我們還必須將基于 GaN-on-Si 和 InP-on-Si 的組件與基于 CMOS 的組件共同集成到一個完整的系統中。GaN 和 InP 技術最初將用于實現前端模塊內的功率放大器。此外，低噪聲放大器和開關可能受益于這些化合物半導體的獨特性能。但最終，校準、控制和波束形成仍然需要 CMOS。
在其高級射頻計劃中，imec 與其行業合作伙伴一起探索在大尺寸硅晶圓上集成 GaN 和 InP 器件的各種方法，以及如何實現它們與 CMOS 組件的異構集成。正在評估不同用例（基礎設施（例如 FWA）以及用戶設備）的優缺點。
根據起始襯底的不同，GaN 技術有多種類型：GaN bulk substrates, GaN-on-SiC和GaN-on-Si。如今，GaN-on-SiC得到了廣泛探索，并已用于基礎設施應用，包括 5G 基站。GaN-on-SiC比GaN bulk substrates技術更具成本效益，而且碳化硅是一種出色的熱導體，有助于散發高功率基礎設施應用中產生的熱量。然而，成本和基板尺寸有限使其不太適合大規模生產。
相反，GaN-on-Si具有擴大到 200mm 甚至 300mm 晶圓的潛力。得益于多年來電力電子應用的創新，GaN在大尺寸Si襯底上的集成取得了巨大進展。但硅基氮化鎵技術還需要進一步改進，以實現最佳射頻性能。主要挑戰在于實現與 GaN-on-SiC 相當的大信號和可靠性性能以及提高工作頻率。這需要在材料堆疊設計和材料選擇方面不斷創新，縮短 HEMT 的柵極長度，抑制寄生效應，并保持盡可能低的射頻色散。
Imec 的射頻 GaN-on-Si 工藝流程從在 200mm Si 晶圓上生長（通過金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)）外延結構開始。該結構由專有的 GaN/AlGaN 緩沖結構、GaN 溝道、AlN 間隔物和 AlGaN 勢壘組成。具有 TiN 肖特基金屬柵極的 GaN HEMT 器件隨后與（低溫）3 級 Cu 后道工藝集成。
近期，imec的GaN-on-Si平臺取得了具有競爭力的成果，輸出功率和功率附加效率（PAE）首次接近GaN -on-SiC技術。PAE 是評估功率放大器效率的常用指標，它考慮了放大器增益對其整體效率的影響。
圖 3 - 硅基氮化鎵基準測試數據。紅色的 IMEC 數據是 GaN-on-Si 器件的最佳報告之一，可與 GaN-on-SiC 襯底相媲美（如 IEDM 2022 上介紹的）。
通過建模活動補充技術開發將最終有助于實現更好的性能和可靠性。例如，在 IEDM 2022 上，imec 推出了一個仿真框架，可以更好地預測射頻設備中的熱傳輸。在硅基氮化鎵 HEMT 的案例研究中，模擬顯示峰值溫升比之前預測的高出三倍。諸如此類的建模工作為在開發階段早期優化射頻器件及其布局提供了進一步的指導。
最終，III/V-on-Si 功率放大器必須與負責校準和控制等功能的基于 CMOS 的組件相結合。Imec 正在研究各種異構集成選項，權衡它們在各種用例中的優缺點。
先進的層壓基板技術是將不同射頻元件集成到系統級封裝中的最常見方法，并且正在進行優化以使其能夠適應更高的頻率。
此外，imec還探索更先進的異構集成選項，包括2.5D中介層和3D集成技術。
特別是對于 100GHz 以上的頻率，需要注意的是天線模塊開始定義收發器可用的區域。事實上，當頻率較高時，波長會減小，天線陣列的面積也會相應縮小。在 100GHz 以上，天線尺寸變得小于前端模塊尺寸，而前端模塊尺寸幾乎不會隨著頻率的增加而縮小。對于大型天線陣列配置，一個有趣的選擇是將射頻前端模塊移至天線陣列下方。這就是3D 集成技術的用武之地（die-to-wafer or 和wafer-to-wafer）發揮作用，實現前端模塊和天線模塊之間的短且明確的連接。然而，熱管理仍然是 3D 集成的一個重要問題，并且能夠提供有效的散熱器至關重要。在imec，我們正在進行全面的系統技術協同優化 (STCO) 分析，以評估用于 3D 集成的不同技術，并從系統級角度指導技術選擇。
對于手持設備，減少天線數量可以放松限制，2.5D interposer技術被認為是一種有趣的方法。這種異構集成選項使用具有光刻定義連接的層堆棧，甚至是硅通孔，以在基于 III/V 和 CMOS 的組件之間進行通信。在這種情況下，III/V 器件位于 CMOS 芯片旁邊，可以實現更好的熱管理，因為兩個芯片都可以與散熱器直接接觸。然而，這種架構僅允許一維波束控制。我們目前正在評估 2.5D 中介層技術的硬件實現，研究基板、電介質和再分布層的最佳組合，以最大限度地減少損耗。例如，我們展示了射頻定制硅中介層技術的第一個版本，該技術使用標準硅基板、銅半加成互連
圖 75– 封裝中集成有 InP 和 CMOS 器件以及天線陣列的 RF Si 內插器的示意圖。
總之，最近的升級和集成工作表明，硅基氮化鎵和硅基磷化銦可以成為下一代高容量無線通信應用的可行技術。
射頻芯片封裝清洗：合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。
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以上為本公司一些經驗的累積，因工藝問題內容廣泛，沒有面面俱到，只對常見問題作分析，隨著電子產業的不斷更新換代，新的工藝問題也不斷出現，本公司自成立以來不斷的追求產品的創新，做到與時俱進，熟悉各種生產復雜工藝，能為各種客戶提供全方位的工藝、設備、材料的清洗解決方案支持。
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