芯片半導體常用術語的中英文對照表（上）
常用芯片半導體術語的中英文對照表（上）
6月29日，上海新國際博覽中心，SEMICON / FPD China 2023開幕主題演講開啟“半導體嘉年華”序幕。半導體芯片的國產化已成為業界探討和追尋的主旋律，因為只有掌握自己的核心技術才能不被掣肘，才能為產業發展甚至國家安全提供強有力的支撐。
今天小編給大家分享一篇常用的芯片半導體術語的中英文對照表，希望能對您有所幫助！
芯片半導體常用術語中英文對照表：
離子注入機 ion implanter
LSS理論 Lindhand Scharff and Schiott theory，又稱“林漢德-斯卡夫-斯高特理論”。
溝道效應 channeling effect
射程分布 range distribution
深度分布 depth distribution
投影射程 projected range
阻止距離 stopping distance
阻止本領 stopping power
標準阻止截面 standard stopping cross section
退火 annealing
激活能 activation energy
等溫退火 isothermal annealing
激光退火 laser annealing
應力感生缺陷 stress-induced defect
擇優取向 preferred orientation
制版工藝 mask-making technology
圖形畸變 pattern distortion
初縮 first minification
精縮 final minification
母版 master mask
鉻版 chromium plate
干版 dry plate
乳膠版 emulsion plate
透明版 see-through plate
高分辨率版 high resolution plate, HRP
超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization
掩模 mask
掩模對準 mask alignment
對準精度 alignment precision
光刻膠 photoresist，又稱“光致抗蝕劑”。
負性光刻膠 negative photoresist
正性光刻膠 positive photoresist
無機光刻膠 inorganic resist
多層光刻膠 multilevel resist
電子束光刻膠 electron beam resist
X射線光刻膠 X-ray resist
刷洗 scrubbing
甩膠 spinning
涂膠 photoresist coating
后烘 postbaking
光刻 photolithography
X射線光刻 X-ray lithography
電子束光刻 electron beam lithography
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