先進封裝之面板芯片級封裝(PLCSP)技術介紹與芯片封裝清洗概述
相對于晶圓級封裝，面板級封裝是一種更高效的封裝技術。這得益于兩大優勢：面積利用率比晶圓級封裝高以及面板通常面積比晶圓面積大得多。由于晶圓的圓形和芯片的矩形不一致，取決于芯片的大小，通常在封裝過程中硅晶圓面積浪費掉10-20%。而面板本身是矩形的，所以可以大大減少邊角料的浪費。另外，常見的面板有18寸乘24寸，20寸乘 20寸，510 mm乘515 mm，600 mm乘600 mm，甚至700 mm乘700 mm等等，是晶圓面積的3-7倍。一個面板上可以放置多個晶圓。
今天我們來介紹PLCSP（Panel Level Chip Scale Packaging）。
a.面板載板清洗，面板可以是金屬的，也可以是玻璃或其他材料；
b.在面板載板上貼上雙面熱離型膠膜，我們也可以考慮光解鍵合膠，其相應地載板材料通常是可以通光的玻璃載板；
c.在另一個面板模具（通常是PCB面板）上制作相應的空腔。如圖二所示，我們需要一個300毫米的全圓，兩個半圓和一個四分之一圓。這個模具通常是用激光來加工的；
d.將帶空腔的面板模具粘到連接到面板載板上；
e.將未切割和切割好的晶圓放進模具的空腔中，并由step b中的雙面膠固定；
f.在整個面板上層壓ABF介質層，通常ABF的厚度在15-50微米。它的功能就像常用的聚酰亞胺一樣，但是ABF的成本要遠低于聚酰亞胺。然而，基于ABF的重布層的線距線寬會遠大于聚酰亞胺所能提供的；
g.在ABF介質層上激光鉆通孔。常用的激光器有二氧化碳激光，UV激光器。光束頂部通孔的典型直徑為50-100微米，由于via側壁存在taper angle底部孔直接要比ABF上表面開口要小些；
h.Desmear去污，同時使得ABF表面更加粗糙來增加金屬層的粘附力；
i.通常是化學鍍種子層銅，在特殊情況下我們也可以用PVD物理氣相沉積來形成種子層；
j.光刻膠涂敷，由于面板的矩形，spin coating很少被用到。常用的方法有薄膜壓層，液體光刻膠的slit coating and spray coating，干膜光刻膠是最常用的材料；
k.通過曝光顯影等來定義金屬層結構，我們可以用LDI激光直寫的方式或者用掩模版stepper方法；
l.在光刻膠開口處電鍍銅，也可以根據需要來電鍍鎳鈀金；
m.剝離光刻膠；
n.蝕刻掉鈦銅種子層；
o.根據需要，可以重復step g至n來增加buildup layer數量；
p.在整個晶片上濺射鈦銅種子層；
q.在表面介質層，通常solder resist,也可以是PI等材料；
r.在表面介質層使用激光打孔或者曝光顯影等方式在bump pads處開口；
s.形成種子層；
t.涂上光刻膠和掩模，然后用光刻技術打開凸點焊盤上的通孔以暴露帶有 UBM 的區域；
u.電鍍銅芯；
v.電鍍焊料，通常是SnAg等材料。也可以使用直接植球的方式；
w.剝離光刻膠；
x.蝕刻掉鈦銅種子層；
y.涂抹助焊劑并回流焊料；
z.從載板上debond所有的晶圓；
PLCSP 芯片封裝基板的助焊劑清洗劑:
半導體芯片封裝過程中通常會使用助焊劑和錫膏等作為焊接輔料，這些輔料在焊接過程或多或少都會有部分殘留物，還包括制程中沾污的指印、汗液、角質和塵埃等污染物。同時，半導體組裝了鋁、銅、鉑、鎳等敏感金屬和油墨字符、電磁碳膜和特殊標簽等相當脆弱的功能材料。這些敏感金屬和特殊功能材料對清洗劑的兼容性提出了很高的要求。
合明半水基清洗工藝解決方案，可在清洗芯片封裝基板的焊接殘留物和污垢的同時去除金屬界面高溫氧化膜，保障下一道工序的金屬界面結合強度；對芯片半導體基材、金屬材料擁有優良的材料兼容性，清洗后易于用水漂洗干凈。
以上便是芯片封裝基板清洗,封裝基板的主要結構和生產技術的介紹，希望可以幫到您！
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以上為本公司一些經驗的累積，因工藝問題內容廣泛，沒有面面俱到，只對常見問題作分析，隨著電子產業的不斷更新換代，新的工藝問題也不斷出現，本公司自成立以來不斷的追求產品的創新，做到與時俱進，熟悉各種生產復雜工藝，能為各種客戶提供全方位的工藝、設備、材料的清洗解決方案支持。
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