目前的半導體芯片都是在晶圓上通過光刻/蝕刻等工藝加工出來的三維立體結構，所以堆疊多層晶體管以實現更密集的集成是非常困難的。

而且，現在先進制程工藝的發展似乎也在 1~3nm 這里出現了瓶頸，所以不少人都認為摩爾定律到頭了

但是由超薄 2D 材料制成的半導體晶體管，單個只有 3 個原子的厚度，可以大量堆疊起來制造更強大的芯片。

正因如此，麻省理工學院的研究人員研發并展示了一種新技術，可以直接在硅芯片上有效地生成二維過渡金屬二硫化物 (TMD) 材料層，以實現更密集的集成。

但是，直接將 2D 材料生成到硅 CMOS 晶圓上有一個問題，就是這個過程通常需要約 600 攝氏度的高溫，但硅晶體管和電路在加熱到 400 攝氏度以上時可能會損壞。

這次麻省理工學院（MIT）華裔研究生朱家迪等人的研究成果就是，開發出了一種不會損壞芯片的低溫生成工藝，可直接將 2D 半導體晶體管集成在標準硅電路之上。

之前研究人員是先在其他地方生成 2D 材料，然后將它們轉移到晶圓上，但這種方式通常會導致缺陷，進而影響設備和電路的性能，而且在轉移 2D 材料時也非常困難。

相比之下，這種新工藝會直接在整個 8 英寸晶圓上生成出光滑、高度均勻的材料層。

其次就是能夠顯著減少生成 2D 材料所需的時間。以前的方法需要超過一天的時間來生成 2D 材料，新方法則將其縮短到了一小時內。

“使用二維材料是提高集成電路密度的有效方法。我們正在做的就像建造一座多層建筑。如果你只有一層，這是傳統的情況，它不會容納很多人。但是隨著樓層的增加，大樓將容納更多的人，從而可以實現驚人的新事物。” 

朱家迪在論文中這樣解釋，“由于我們正在研究的異質集成，我們將硅作為第一層，然后我們可以將多層 2D 材料直接集成在上面。”

隨著 ChatGPT 的興起，帶動了人工智能產業的蓬勃發展，AI 的背后就需要強大的硬件算力支持，也就是芯片。

該技術不需要光刻機就可以使芯片輕松突破 1nm 工藝，也能大幅降低半導體芯片的成本，如果現階段的光刻機技術無法突破 1nm 工藝的話，那么這種新技術將從光刻機手中拿走接力棒，屆時光刻機也將走進歷史~

“使用二維材料是提高集成電路密度的有效方法。我們正在做的就像建造一座多層建筑。如果你只有一層，這是傳統的情況，它不會容納很多人。但是隨著樓層的增加，大樓將容納更多的人，從而可以實現驚人的新事物。” 

朱家迪在論文中這樣解釋，“由于我們正在研究的異質集成，我們將硅作為第一層，然后我們可以將多層 2D 材料直接集成在上面。”

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該技術不需要光刻機就可以使芯片輕松突破 1nm 工藝，也能大幅降低半導體芯片的成本，如果現階段的光刻機技術無法突破 1nm 工藝的話，那么這種新技術將從光刻機手中拿走接力棒，屆時光刻機也將走進歷史~

合明科技芯片封裝清洗：

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

推薦使用合明科技水基清洗劑產品。