IGBT的靜態特性曲線

今天小編帶你一起了解一下IGBT的主要參數及IGBT的優缺點，希望能對你有所幫助！

IGBT靜態特性曲線包括轉移特性曲線和輸出特性曲線：其中左側用于表示IC-VGE關系的曲線叫做轉移特性曲線，右側表示IC-VCE關系的曲線叫做輸出特性曲線。下面小編分別詳細介紹一下轉移特性曲線跟輸出特性曲線：

1、轉移特性曲線

IGBT的轉移特性曲線是指輸出集電極電流IC與柵極-發射極電壓VGE之間的關系曲線。

為了便于理解，這里我們可通過分析MOSFET來理解IGBT的轉移特性。

當VGS=0V時，源極S和漏極D之間相當于存在兩個背靠背的pn結，因此不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個pn結處于反偏狀態，漏、源極間沒有導電溝道，器件無法導通，漏極電流ID為N+PN+管的漏電流，接近于0。

當0<vgs<vgs（th）時< span="">，柵極電壓增加，柵極G和襯底p間的絕緣層中產生電場，使得少量電子聚集在柵氧下表面，但由于數量有限，溝道電阻仍然很大，無法形成有效溝道，漏極電流ID仍然約為0。

當VGS≥VGS（th）時，柵極G和襯底p間電場增強，可吸引更多的電子，使得襯底P區反型，溝道形成，漏極和源極之間電阻大大降低。此時，如果漏源之間施加一偏置電壓，MOSFET會進入導通狀態。在大部分漏極電流范圍內ID與VGS成線性關系，如下圖所示。

這里MOSFET的柵源電壓VGS類似于IGBT的柵射電壓VGE，漏極電流ID類似于IGBT的集電極電流IC。IGBT中，當VGE≥VGE（th）時，IGBT表面形成溝道，器件導通。

2、輸出特性曲線

IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發射極電壓VGE為參變量時，漏極電流IC和集電極-發射極電壓VCE之間的關系曲線。

由于IGBT可等效理解為MOSFET和PNP的復合結構，它的輸出特性曲線與MOSFET強相關，因此這里我們依舊以MOSFET為例來講解其輸出特性。

其中當VDS>0且較小時，ID隨著VDS的增大而增大，這部分區域在MOSFET中稱為可變電阻區，在IGBT中稱為非飽和區；

當VDS繼續增大，ID-VDS的斜率逐漸減小為0時，該部分區域在MOSFET中稱為恒流區，在IGBT中稱為飽和區；

當VDS增加到雪崩擊穿時，該區域在MOSFET和IGBT中都稱為擊穿區。

IGBT的柵極-發射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS，集電極電流IC類似于漏極電流ID，集電極-發射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。

MOSFET與IGBT在線性區之間存在差異（紅框所標位置）。

這主要是由于IGBT在導通初期，發射極P+/N-結需要約為0.7V的電壓降使得該結從零偏轉變為正偏所導致的。

以上是關于IGBT的靜態特性曲線的相關內容，希望能您你有所幫助！

想要了解關于IGBT功率模塊清洗的相關內容，請訪問我們的“IGBT功率模塊清洗”專題了解相關產品與應用 ！

合明科技是一家電子水基清洗劑 環保清洗劑生產制造商,其產品覆蓋電子加工過程整個領域。歡迎使用合明科技水基清洗劑產品！