半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備,刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

今天小編給大家分享一遍關(guān)于半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備,刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別,希望能對(duì)大家有所幫助!

刻蝕技術(shù)，是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。刻蝕技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，相對(duì)應(yīng)的設(shè)備分別為干法刻蝕設(shè)備和濕法刻蝕設(shè)備，其中干法刻蝕設(shè)備絕大部分為等離子體刻蝕。

不同類(lèi)型刻蝕設(shè)備占比

刻蝕設(shè)備大致包括了干法刻蝕和濕法刻蝕兩類(lèi)，干法刻蝕設(shè)備在半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備中占據(jù)主流、占比高達(dá)95%。硅干法刻蝕即等離子體刻蝕技術(shù)，相對(duì)于濕法刻蝕，具有更好的各向異性，工藝重復(fù)性，且能降低晶圓污染幾率，因此成為了亞微米下制備半導(dǎo)體器件最主要的刻蝕方法。隨著亞微米下制備半導(dǎo)體器件需求的增加，硅干法刻蝕技術(shù)也顯得越來(lái)越重要。

刻蝕設(shè)備品牌有：SPTS、SCREEN.、AMAT、Oxford、北方華創(chuàng)、Lam Research、WONIK IPS、Tokyo Electron Limited、中微半導(dǎo)體、卡爾蔡司等。其中，各品牌比較受歡迎的產(chǎn)品型號(hào)有：

牛津儀器PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統(tǒng)

PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統(tǒng)為得到更為精湛的刻蝕效果提供了智能解決方案，在行業(yè)中能保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。同時(shí)，這款儀器具有高效的刻蝕速率、低購(gòu)置成本、專為腐蝕性的化學(xué)成分而設(shè)計(jì)、出色的刻蝕均勻性、適用于藍(lán)寶石的靜電壓盤(pán)技術(shù)、藍(lán)寶石和硅上的GaN、高導(dǎo)通抽氣系統(tǒng)、可與其它PlasmaPro系統(tǒng)集成等優(yōu)點(diǎn)。

SPTS深硅刻蝕設(shè)備

SPTS作為世界頂尖的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設(shè)備的供應(yīng)商，SPTS能夠提供一系列的解決方案來(lái)滿足客戶的生產(chǎn)和開(kāi)發(fā)要求。通過(guò)一系列的技術(shù)的開(kāi)發(fā)，SPTS能為客戶提供一系列的先進(jìn)的工藝，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的高端封裝（3D封裝和芯片級(jí)封裝）。這款深硅刻蝕設(shè)備的主要應(yīng)用包括: MEMS，先進(jìn)封裝（TSV）,功率器件等等。

等離子刻蝕機(jī)

經(jīng)濟(jì)型等離子刻蝕設(shè)備EtchLab 200具備 低成本效益高的特點(diǎn)，并且支持揭蓋直接 放置樣片。EtchLab 200允許通過(guò)載片器，實(shí)現(xiàn)多片工藝樣品的快速裝載，也可以直接快速地把樣品裝載在電極上。RIE等離子體刻蝕設(shè)備具備占地面積小， 模塊化和靈活性等設(shè)計(jì)特點(diǎn)。

光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是完全不同的兩種設(shè)備，不論從功能還是結(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)都是天差地別，光刻機(jī)是整個(gè)芯片制造過(guò)程中最為核心的設(shè)備，芯片的制程是由光刻機(jī)決定。具體區(qū)別如下：

1、工作原理

如果將光刻機(jī)和刻蝕機(jī)做一個(gè)比喻的話，刻蝕機(jī)像一個(gè)雕工，而光刻機(jī)像一個(gè)畫(huà)工，其中畫(huà)要比雕難得多。可以說(shuō)兩者一個(gè)是設(shè)計(jì)者，一個(gè)是執(zhí)行者，整個(gè)芯片生產(chǎn)過(guò)程中，需要重復(fù)使用兩種設(shè)備，直至將完整的電路圖蝕刻到硅晶圓上為止。光刻機(jī)投影在硅片上一張精細(xì)的電路圖(就像照相機(jī)讓膠卷感光)，刻蝕機(jī)按這張圖去刻線(就像刻印章一樣，腐蝕和去除不需要的部分)。

2、結(jié)構(gòu)：光刻機(jī)的最主要的核心技術(shù)就是光源和光路，其光源和光路的主要組成部分有四個(gè)，光源、曝光、檢測(cè)、和其他高精密機(jī)械組成。對(duì)比之下，蝕刻機(jī)的結(jié)構(gòu)組成就要簡(jiǎn)單很多，主要是等離子體射頻源、反應(yīng)腔室和真空氣路等組成。

3、售價(jià)：ASML的EUV光刻機(jī)單臺(tái)售價(jià)很高，蝕刻機(jī)的售價(jià)要低很多了。

4、工藝：刻蝕機(jī)是將硅片上多余的部分腐蝕掉,光刻機(jī)是將圖形刻到硅片上。

5、難度：光刻機(jī)的難度和精度大于刻蝕機(jī)。

以上是關(guān)于半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備,刻蝕機(jī)和光刻機(jī)區(qū)別的相關(guān)內(nèi)容，希望能您你有所幫助！

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