IGBT是電源轉(zhuǎn)換的核心器件，由雙極型三極管和MOSFET組成，適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)。IGBT還是新能源與節(jié)能低碳經(jīng)濟(jì)的主要支撐技術(shù)，具有開(kāi)關(guān)速度快、載流密度大等特點(diǎn)，廣泛用于新能源汽車(chē)、光伏以及智能制造領(lǐng)域。IGBT制造屬于資本密集型行業(yè)，其產(chǎn)業(yè)鏈較長(zhǎng)，包括芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊制造、測(cè)試等環(huán)節(jié);部分設(shè)備依賴(lài)進(jìn)口，成本高昂。

一、中國(guó)IGBT芯片行業(yè)技術(shù)趨勢(shì)：IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向

從行業(yè)整體發(fā)展規(guī)律而言，IGBT發(fā)展趨勢(shì)主要是降低損耗和降低成本。

從結(jié)構(gòu)上講，IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向：

1)IGBT縱向結(jié)構(gòu)：非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場(chǎng)截止型;

2)IGBT棚極結(jié)構(gòu)：平面棚機(jī)構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu);

3)硅片加工工藝：外延生長(zhǎng)技術(shù)、區(qū)熔硅單晶。

二、中國(guó)IGBT芯片行業(yè)需求情況：

IGBT憑借著高功率密度、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單以及寬安全工作區(qū)等特點(diǎn)，成為了中大功率、中低頻率電力電子設(shè)備的首選。在工作頻率低于10?Hz的范圍內(nèi)，硅基IGBT是首選的功率半導(dǎo)體器件，其功率范圍涵蓋幾千瓦至十兆瓦，典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括工業(yè)控制(變頻器、逆變焊機(jī)、不間斷電源等);新能源汽車(chē)(主電驅(qū)、OBC、空調(diào)、轉(zhuǎn)向等);新能源發(fā)電(光伏逆變器、風(fēng)電變流器);變頻白電(IPM);軌道交通(牽引變流器);智能電網(wǎng)等。

低壓IGBT一般電壓在1200V及以下，且適用于低消耗的消費(fèi)電子和太陽(yáng)能逆變器領(lǐng)域，中國(guó)本土廠商幾乎都有布局低壓領(lǐng)域。

中壓IGBT一般電壓在1200-2500V，適用于新能源汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域，由于碳中和計(jì)劃的持續(xù)推行以及新能源領(lǐng)域的高速發(fā)展，該領(lǐng)域是中國(guó)IGBT本土廠商未來(lái)主要發(fā)力的領(lǐng)域。

高壓IGBT一般電壓大于2500V，主要適用于高鐵、動(dòng)車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，中國(guó)本土廠商僅中車(chē)時(shí)代和斯達(dá)半導(dǎo)有所布局，中國(guó)高鐵里程數(shù)全球第一，需求量大，促進(jìn)中上游技術(shù)發(fā)展，因此該領(lǐng)域率先實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代。

三、IGBT模塊的清洗現(xiàn)狀和未來(lái)的清洗趨勢(shì)

目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對(duì)環(huán)保的管控和對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿(mǎn)足IGBT清洗。對(duì)此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明半水基清洗工藝解決方案，采用合明專(zhuān)利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料；配方材料親水性強(qiáng)，清洗后易于用水漂洗干凈。

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